[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片的分割方法在审
| 申请号： | 202310253513.2 | 申请日： | 2023-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN116238053A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈世锐;李伟伟;丁俊毅;居龙飞;谭必松;杜宇;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 浙江珏芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 323000 浙江省丽水市莲都*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碲镉汞 红外探测器 芯片 分割 方法 | ||
1.一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，包括：
使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；
从所述切割槽切割所述碲锌镉层。
2.如权利要求1所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，采用腐蚀液腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层。
3.如权利要求2所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，所述腐蚀液包括HBr和Br的混合液。
4.如权利要求1所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，使用刀片切割从所述切割槽切割碲锌镉层。
5.如权利要求1所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，所述切割槽的宽度小于或等于所述切割道的宽度。
6.如权利要求1所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，所述切割槽的深度为所述钝化层的厚度和所述碲镉汞层的厚度之和。
7.如权利要求1所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面之后，还包括：去除所述保护层。
8.如权利要求1所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，所述保护层包括图案化的光刻胶。
9.如权利要求8所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，形成图案化的光刻胶的方法包括：
形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖芯片区域和切割道区域；
烘烤所述光刻胶层；
光刻所述光刻胶层，以形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶覆盖芯片区域。
10.如权利要求9所述的碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为1μm～3μm。
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