[发明专利]晶片封装体及其制造方法

说明书

本发明涉及一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括第一半导体晶片、第二半导体晶片、第一封胶层、第二封胶层、第一导通孔电极以及第二导通孔电极。第二半导体晶片叠置于第一半导体晶片上，且第一封胶层及第二封胶层分别包围第一半导体晶片及第二半导体晶片。另外，第一导通孔电极及第二导通孔电极分别贯穿第一封胶层及第二封胶层，且第二导通孔电极电性连接于第二半导体晶片与第一导通孔电极之间。本发明的晶片封装体可有效降低制造成本。

技术领域

本发明关于一种晶片封装技术，特别地关于一种具有光遮蔽层的晶片封装体及其制造方法。

背景技术

光电元件(例如，影像感测装置)在撷取影像等应用中扮演着重要的角色，其已广泛地应用于例如数字相机(digital camera)、数字录影机(digital video recorder)、手机(mobile phone)等电子产品中，而晶片封装工艺是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将感测晶片保护于其中，使其免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。

随着电子产品功能的增加及尺寸的减小，系统级封装(system-in-package,SiP)技术成为整合不同性质的电子装置(例如，逻辑晶片、感测晶片、存储器晶片等等)于单一封装体的一项重要技术。再者，由于近来人工智能(artificial intelligence,AI)的快速发展，异质整合(heterogeneous integration)成为人工智能(AI)晶片一项重要的趋势。而利用系统级封装(SiP)技术来进行异质整合，可提升系统效能，同时缩小晶片体积、减少功耗、以及降低制造成本。

发明内容

在一些实施例中，提供一种晶片封装体，包括：一第一半导体晶片，具有一第一表面及与其相对的一第二表面；一第二半导体晶片，叠置于第二表面上，且具有一第三表面面向第二表面及相对于第三表面的一第四表面；一第一封胶层，包围第一半导体晶片；一第二封胶层，包围第二半导体晶片；一第一导通孔电极，贯穿第一封胶层；以及一第二导通孔电极，贯穿第二封胶层，且电性连接于第二半导体晶片与第一导通孔电极之间。

在一些实施例中，提供一种晶片封装体，包括：一第一半导体晶片，具有一第一表面及与其相对的一第二表面；一第二半导体晶片，叠置于第二表面上，且具有一第三表面面向第二表面及相对于第三表面的一第四表面；一第一封胶层，包围第一半导体晶片，其中一部分的第一封胶层延伸于第一表面上；一第二封胶层，包围第二半导体晶片，其中一部分的第二封胶层延伸于第二表面与第三表面之间；一第一导通孔电极，贯穿第一封胶层；一第二导通孔电极，贯穿第二半导体晶片；以及一第三导通孔电极，贯穿上述部分的第二封胶层，且电性连接于第一导通孔电极与第二导通孔电极之间。

在一些实施例中，提供一种晶片封装体的制造方法，包括：形成一第一重布线层及一导电凸块于一透明基底上，其中导电凸块位于第一重布线层上；通过导电凸块，将一第一半导体晶片接合至第一重布线层；形成一第一封胶层于透明基底上，且包覆第一半导体晶片；形成一第二重布线层于第一封胶层上，且形成一第一导通孔电极穿过第一封胶层且电性连接于第一重布线层与第二重布线层之间；堆叠一第二半导体晶片于第一半导体晶片上方的第一封胶层上；形成一第二封胶层于第一封胶层上，且包覆第二半导体晶片；以及形成一第三重布线层于第二封胶层上，且形成一第二导通孔电极穿过整个第二封胶层且电性连接至第二重布线层。