[实用新型]一种封装结构有效

专利信息
申请号: 202220228621.5 申请日: 2022-01-27
公开(公告)号: CN217062077U 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 刘尧青;郭亚;刘海东 申请(专利权)人: 美新半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/00
代理公司: 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 代理人: 庞聪雅
地址: 214000 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其特征在于,其包括:

半导体圆片,其背面与其正面相对,且其背面位于其正面的上方;所述半导体圆片正面设置有传感器的控制单元和金属焊盘;所述半导体圆片内部设置有通孔,所述通孔自所述半导体圆片的背面向下延伸至所述传感器的控制单元;所述半导体圆片的背面设置有第一再布线层,所述第一再布线层由所述传感器的控制单元经所述通孔引出并再分布到所述半导体圆片的背面;

多个传感器器件,其分布于所述第一再布线层上方,每个所述传感器器件与所述半导体圆片的背面相键合,且每个所述传感器器件的信号触点与所述第一再布线层连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,

所述传感器的控制单元包括传感器的控制电路和存储电路;

所述传感器器件是基于晶圆级封装的传感器器件;

多个所述传感器器件为相同种类的传感器器件或不同种类的传感器器件。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,

所述通孔是基于深硅刻蚀孔技术形成的硅通孔;

所述传感器器件是通过倒装、回流的工艺实现与所述半导体圆片的键合的。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,

所述传感器器件包括依次层叠设置的衬底,传感器结构层,传感器结构保护盖,再布线层,金属凸点;

所述金属凸点为所述传感器器件中与所述第一再布线层相连接的信号触点。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,其还包括:

焊球,其设置于所述半导体圆片正面的所述金属焊盘上;

塑封料,其将集成在一起的所述半导体圆片和多个所述传感器器件进行塑封。

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