[发明专利]三维存储器中央位线构架、三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器中央位线构架，其特征在于，包括：

相对设置的第一共源极和第二共源极；

多层字线，沿第一方向层叠于所述第一共源极与第二共源极之间；

多个沟道孔，贯穿所述多层字线并连接所述第一共源极和第二共源极，每个沟道孔形成一个字节串；

多个中央位线，置于所述沟道孔的中部，且沿与所述第一方向交叉的第二方向间隔排布；

其中，所述多层字线和多个所述字节串构成的体形成总区块，所述多个中央位线将所述总区块分为位于上部的第一子区块和位于下部的第二子区块，以分别驱动所述第一子区块以及所述第二子区块内部的字节串。

2.根据权利要求1所述的三维存储器中央位线构架，其特征在于，所述多层字线分隔设置，相邻两层字线之间留有绝缘层。

3.根据权利要求1所述的三维存储器中央位线构架，其特征在于，所述第一子区块内与所述第一共源极最靠近的一层字线，以及所述第二子区块内与所述第二共源极最靠近的一层字线，均设置为下选择线；

所述第一子区块内与所述中央位线最靠近的一层字线，以及所述第二子区块内与所述中央位线最靠近的一层字线，均设置为串选择线。

4.根据权利要求3所述的三维存储器中央位线构架，其特征在于，所述第一子区块与第二子区块内的沟道孔通过设置于中部的多个中央位线连接孔相连通，所述中央位线连接孔交错贯穿所述多个中央位线。

5.根据权利要求4所述的三维存储器中央位线构架，其特征在于，每个所述中央位线连接孔与连通的字节串偏心设置。

6.根据权利要求4所述的三维存储器中央位线构架，其特征在于，所述串选择线为多条，每条串选择线沿着多个所述字节串的布置方向交错切割，以形成曲折型切割道。

7.一种三维存储器，其特征在于，包括：

如权利要求1-6中任一项所述的三维存储器中央位线构架。

8.一种如权利要求7所述三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1，在衬底上沉积多层堆叠结构，每层所述堆叠结构包括牺牲层和绝缘层；

步骤S2，在所述多层堆叠结构上同步刻蚀多个沟道孔和字线切割道；

步骤S3，在所述多个沟道孔和字线切割道内同步填充栅叠层，后填充芯绝缘层；

步骤S4，湿法刻蚀所述字线切割道内的栅叠层和芯绝缘层；

步骤S5，去除所述多层堆叠结构内的牺牲层，置换为字线层，经过平坦化处理后，形成位于下部的第二子区块；

步骤S6，在所述第二子区块上依次沉积绝缘层、串选择线切割道和绝缘层；

步骤S7，蚀刻多个中央位线连接孔，在每个所述中央位线连接孔内依次沉积绝缘层和芯金属层；

步骤S8，蚀刻所述串选择线切割道，在所述串选择线切割道内填充绝缘层，经过平坦化处理后，形成下部的串选择线；

步骤S9，在所述串选择线上形成多个中央位线；

步骤S10，重复上述步骤S6～步骤S8，形成上部的串选择线；

步骤S11，重复上述步骤S3～步骤S5，形成位于上部的第一子区块。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1，所述衬底包括硅晶元衬底，所述牺牲层材料为氮化硅或者有掺杂的氮化硅，所述绝缘层材料为氧化硅或低介电系数材料。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在步骤S2，所述字线切割道的宽度大于所述沟道孔直径的2倍，且所述字线切割道开设于所述多个沟道孔的两侧。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在步骤S3，所述栅叠层包括TANOS结构，所述芯绝缘层材料包括氧化硅。

12.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在步骤S5，所述字线层材料包括金属钨或钼。