[发明专利]一种显示模组制备方法及显示模组在审
| 申请号: | 202211509324.9 | 申请日: | 2022-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN116169132A | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
| 发明(设计)人: | 沈松平;秦快;谢少佳;钟晓川;顾峰;田桂兰;曾嘉杰;林文豪 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司: | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人: | 吴静芝 |
| 地址: | 528000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 模组 制备 方法 | ||
1.一种显示模组制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤S1、在键合模组正面设置疏液膜,其中所述键合模组包括基板、芯片阵列、第一电极阵列和至少一个第二电极,其中所述第一电极阵列设置于所述基板正面,所述芯片阵列的每个芯片在其底面设有第一芯片电极,在其顶面设有第二芯片电极,所述每个芯片的底面固定于一个第一电极上,且其第一芯片电极与所述第一电极电性连接;所述疏液膜包覆所述芯片并覆盖所述基板表面;
步骤S2、在所述每个芯片之间添加底填胶材料并使其覆盖所述基板上的疏液膜表面,其中所述底填胶材料的液面高度不高于所述芯片的高度;
步骤S3、固化所述底填胶材料形成底填胶层并除去所述疏液膜覆盖所述芯片第二芯片电极的部分;
步骤S4、设置导电体,使所述每个芯片的第二芯片电极分别通过一导电体与至少一个第二电极电性连接;
其中所述步骤S1的疏液膜对所述底填胶材料具有疏液性。
2.根据权利要求1所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述底填胶材料为热固性材料,所述步骤S3中通过加热固化所述底填胶材料形成底填胶层。
3.根据权利要求2所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述疏液膜在所述步骤S3中热分解或熔化。
4.根据权利要求2所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述底填胶材料含有可在所述步骤S3中溶解所述疏液膜的溶剂。
5.根据权利要求1所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述第二电极设置于所述基板的正面,所述键合模组还包括遮挡件,所述遮挡件使所述第二电极不被所述底填胶层覆盖。
6.根据权利要求5所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述遮挡件至少部分包覆所述第二电极;在所述步骤S1中所述疏液膜还包覆所述遮挡件;在所述步骤S2中,所述底填胶材料的液面高度不高于所述遮挡件的高度;在所述步骤S3和S4之间还包括步骤:除去遮挡件,在所述底填胶层形成暴露所述第二电极的通道。
7.根据权利要求5所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述遮挡件设置于所述芯片阵列与所述第二电极之间,所述遮挡件高于所述步骤S3中底填胶材料的液面高度,其阻挡所述底填胶材料流向所述第二电极。
8.根据权利要求1所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述键合模组还包括电极引出件,其设置于所述基板正面并与所述第二电极电性连接;在所述步骤S1中所述疏液膜还包覆所述电极引出件;在所述步骤S2中,所述底填胶材料的液面高度不高于所述电极引出件的高度;在所述步骤S3中,所述疏液膜包覆所述电极引出件的部分也被除去;在所述步骤S4中,所述每个导电体与至少一个电极引出件相连。
9.根据权利要求1~8任一项所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述芯片的顶面为发光面,所述导电体透光。
10.根据权利要求9所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述导电体由热固性导电胶固化形成。
11.根据权利要求10所述的显示模组制备方法,其特征在于:在所述步骤S4后还包括步骤:设置封装层,所述封装层包覆所述导电件、芯片和底填胶层表面。
12.根据权利要求11所述的显示模组制备方法,其特征在于:所述键合模组还包括挡框,所述挡框设置于所述基板正面并环绕所述芯片阵列和第二芯片电极,且其高度高于所述底填胶层。
13.一种显示模组,其特征在于:所述显示模组由如权利要求1~12任一项所述的方法制备。
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