[发明专利]高速电路的芯片互联结构有效
| 申请号： | 202211496613.X | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115775791B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张慧松;刘羿;何贝;刘鹤云;张岩 | 申请（专利权）人： | 北京斯年智驾科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/64 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方玮 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 电路 芯片 联结 | ||
1.一种高速电路的芯片互联结构，包括PCB板、AC电容、第一芯片和第二芯片；所述PCB板包括顶层、底层和位于所述顶层和底层之间的若干中间层；所述第一芯片和所述第二芯片设置于所述顶层；所述AC电容设置于所述底层；
其特征在于，
所述芯片互联结构还包括依次排布于所述PCB板的第一盘中孔、第二盘中孔和第三盘中孔；
所述第一盘中孔设置于所述第一芯片处；
所述第二盘中孔设置于所述AC电容处；
所述第三盘中孔设置于所述第二芯片处；
其中，所述第一芯片通过所述第一盘中孔中的沉铜与所述底层的走线电连接，进而与所述AC电容电连接；
所述第二芯片通过所述第三盘中孔中的沉铜与所述底层的走线电连接，进而与所述AC电容电连接；
所述芯片互联结构还包括位于所述第二盘中孔和所述第三盘中孔之间的过孔；所述过孔的沉铜通过所述底层的走线与所述第三盘中孔的沉铜电连接；
所述若干中间层包括第一中间层；所述第一中间层与所述顶层之间的间隔不超过一层所述中间层的厚度；所述第二盘中孔的沉铜通过所述第一中间层的走线与所述过孔的沉铜电连接；
所述芯片互联结构还包括设置于所述过孔顶部的第一残桩；所述第一残桩的厚度不超过所述顶层和两层中间层的总厚度。
2.根据权利要求1所述的芯片互联结构，其特征在于，所述第一残桩的厚度与所述顶层相等。
3.根据权利要求1所述的芯片互联结构，其特征在于，所述芯片互联结构还包括设置于所述第二盘中孔顶部的第二残桩；所述第二残桩的厚度不超过顶层和两层中间层的总厚度。
4.根据权利要求3所述的芯片互联结构，其特征在于，所述第二残桩的厚度与所述顶层相等。
5.根据权利要求3所述的芯片互联结构，其特征在于，所述第一残桩的厚度和所述第二残桩的厚度相等。
6.根据权利要求1所述的芯片互联结构，其特征在于，所述第一盘中孔为通孔。
7.根据权利要求1所述的芯片互联结构，其特征在于，所述第三盘中孔为通孔。
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