[发明专利]一种抗水解LED芯片的制作方法

说明书

本发明公开了一种抗水解LED芯片的制作方法，涉及发光二极管技术领域，包括以下步骤：获取一外延片，在所述外延片上依次形成透明导电层、电极层和钝化层；用O₂辅助CF₄气体对所述钝化层的表面进行改性腐蚀，形成疏水钝化层；对所述疏水钝化层进行光刻、蚀刻开孔暴露出电极层。本发明的制作方法通过先对钝化层改性腐蚀再开孔暴露电极层的方式避免因改性腐蚀影响电极层造成LED芯片后续焊线不良，也避免了因引入光刻胶后去胶不干净而影响钝化层表面的疏水改性效果；通过用O₂辅助CF₄气体对钝化层进行改性腐蚀，减少了CF₄气体的消耗并增强了疏水效果。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种抗水解LED芯片的制作方法。

背景技术

户外的LED显示屏容易受到水汽的侵蚀，水汽容易附着在LED芯片的钝化层(二氧化硅膜)上并且渗透进去，导致LED芯片失效。

为了解决上述存在的问题，申请号为202210328384.4的中国专利公开了供一种疏水性LED芯片及其制备方法，其方法通过获取一衬底，在衬底上形成外延层；在外延层表面依次形成电流阻挡层、电流扩展层、金属导电层以及钝化层，对钝化层光刻、蚀刻以及去光刻胶后，得到LED晶圆；对LED晶圆的表面进行SiH₄或CF₄等离子体轰击、以对LED晶圆的表面进行改性处理，形成疏水性钝化层，来防止水汽吸附及渗入，从而改善LED芯片漏电，提升可靠性。

但是该专利的技术方案是在钝化层刻蚀暴露出金属导电层后进行的表面改性，这样会导致SiH₄或CF₄等离子体轰击或附着在金属导电层表层，影响后续焊线；而且该专利的技术方案是在对钝化层光刻、蚀刻以及去光刻胶后再进行的表面改性，若钝化层表面的光刻胶去除不干净，还容易影响钝化层表面的疏水改性效果；另外该专利的技术方案对CF₄的消耗大，也没有将使用CF₄改性处理的疏水效果最大化。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，本发明提供了一种抗水解LED芯片的制作方法，通过先对钝化层改性腐蚀再开孔暴露电极层的方式避免因改性腐蚀影响电极层造成LED芯片后续焊线不良，也避免了因引入光刻胶后去胶不干净而影响钝化层表面的疏水改性效果；通过用O₂辅助CF₄气体对钝化层进行改性腐蚀，减少了CF₄气体的消耗并增强了疏水效果。本发明提供了一种抗水解LED芯片的制作方法，包括以下步骤：

获取一外延片，在所述外延片上依次形成透明导电层、电极层和钝化层；用O₂辅助CF₄气体对所述钝化层的表面进行改性腐蚀，形成疏水钝化层；对所述疏水钝化层进行光刻、蚀刻开孔暴露出电极层。

具体的，所述用CF₄气体对所述钝化层的表面进行改性腐蚀包括：

第一阶段：在真空环境内，通入5～10sccm的CF₄气体进行稳压处理；

第二阶段：在真空环境内，开启射频，射频功率为80～100W，通入5～10sccm的CF₄气体腐蚀所述钝化层。

具体的，所述第一阶段的温度条件为280～320℃，所述第二阶段的温度条件为280～320℃。

具体的，所述第一阶段的真空环境的压强为80～120Pa；所述第二阶段的真空环境的压强为80～120Pa。

具体的，所述第一阶段的稳压处理时间为30～60s；所述第二阶段的腐蚀处理时间为100～120s。