[发明专利]一种抗水解LED芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202211330862.1 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115714158A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 邓梓阳;范凯平;陆绍坚;朱娟利 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人： | 李俊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 水解 led 芯片 制作方法 | ||
1.一种抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取一外延片，在所述外延片上依次形成透明导电层、电极层和钝化层；
用O2辅助CF4气体对所述钝化层的表面进行改性腐蚀，形成疏水钝化层；
对所述疏水钝化层进行光刻、蚀刻开孔暴露出电极层。
2.根据权利要求1所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，所述用CF4气体对所述钝化层的表面进行改性腐蚀包括：
第一阶段：在真空环境内，通入5～10sccm的CF4气体进行稳压处理；
第二阶段：在真空环境内，开启射频，射频功率为80～100W，通入5～10sccm的CF4气体腐蚀所述钝化层。
3.根据权利要求2所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一阶段的温度条件为280～320℃，所述第二阶段的温度条件为280～320℃。
4.根据权利要求2所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一阶段的真空环境的压强为80～120Pa；所述第二阶段的真空环境的压强为80～120Pa。
5.根据权利要求2所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一阶段的稳压处理时间为30～60s；所述第二阶段的腐蚀处理时间为100～120s。
6.根据权利要求2所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述第一阶段和所述第二阶段中，通入一定量O2作为稀释气体，控制气体流量的比例CF4：O2为1：3～4。
7.根据权利要求2所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述第二阶段中，将所述CF4气体电离成CF3+和F-等离子体。
8.根据权利要求1所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，在所述透明导电层上形成厚的电极层；在所述电极层上形成厚的钝化层；所述电极层被所述钝化层完全包覆。
9.根据权利要求1所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，所述疏水钝化层的整体厚度在所述疏水钝化层包括疏水子层、钝化子层。
10.根据权利要求1所述的抗水解LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅膜层、或者氮化硅膜层。
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