[发明专利]制造半导体封装的方法在审
申请号: | 202211140501.0 | 申请日: | 2022-09-19 |
公开(公告)号: | CN116264166A | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 李尚远;金贤基;金荣子;白亨吉 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张霞;倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 半导体 封装 方法 | ||
1.一种制造半导体封装的方法,包括:
估计焊球附接工艺中的误差;
基于估计的误差,确定球工具的规格和所述焊球附接工艺的方法;
根据确定的球工具的规格,制造所述球工具;以及
基于所述焊球附接工艺的方法来执行所述焊球附接工艺,
其中,所述确定球工具的规格和所述焊球附接工艺的方法包括:
确定所述球工具中的多个保持器的数量以及所述多个保持器中的每一个的位置和宽度,
确定基板的多个工作区的数量以及所述多个工作区中的每一个的位置和宽度,以及
将所述基板划分为所述多个工作区。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述基板的所述多个工作区包括第一工作区和第二工作区,所述第二工作区具有与所述第一工作区不同的宽度,并且
其中,所述球工具包括第一工具区的第一保持器和第二工具区的第二保持器,所述第一保持器具有与所述第一工作区相同的宽度,所述第二保持器具有与所述第二工作区相同的宽度。
3.根据权利要求2所述的方法,
其中,所述球工具还包括所述第一工具区和所述第二工具区之间的第三工具区,
其中,所述第一保持器和所述第二保持器中的每一个包括压板、所述压板下方的多个销、和具有多个吸孔的吸板,所述多个销分别穿过所述多个吸孔移动,
其中,所述吸板包括第一部分和第二部分,所述第一部分在所述第一工具区中,所述第二部分从所述第一部分延伸到所述第三工具区,并且
其中,所述吸板的所述第一部分的底表面位于与所述吸板的所述第二部分的底表面不同的高度处。
4.根据权利要求3所述的方法,
其中,所述吸板的所述第一部分的所述底表面与所述吸板的所述第二部分的所述底表面之间的高度差在150μm至250μm之间。
5.根据权利要求2所述的方法,
其中,所述基板的所述多个工作区还包括:
第三工作区,在所述第一工作区和所述第二工作区之间,以及
第四工作区,在所述第三工作区和所述第一工作区之间,
其中,所述第三工作区具有与所述第一工作区相同的宽度,并且
其中,所述第四工作区具有与所述第二工作区相同的宽度。
6.根据权利要求5所述的方法,
其中,所述执行所述焊球附接工艺包括:
将焊球吸入到所述第一保持器和所述第二保持器中;
移动所述球工具,使得所述第一工作区与所述第一保持器重叠;
对所述第一工作区执行第一焊球附接工艺;
移动所述球工具,使得所述第二工作区与所述第二保持器重叠;
对所述第二工作区执行第二焊球附接工艺;
再次将焊球吸入到所述第一保持器和所述第二保持器中;
移动所述球工具,使得所述第三工作区与所述第一保持器重叠;
对所述第三工作区执行第三焊球附接工艺;
移动所述球工具,使得所述第四工作区与所述第二保持器重叠;以及
对所述第四工作区执行第四焊球附接工艺。
7.根据权利要求6所述的方法,
其中,在所述第一焊球附接工艺期间,所述第一工作区具有与所述第二工作区、所述第三工作区和所述第四工作区不同的温度,
其中,在所述第二焊球附接工艺期间,所述第二工作区具有与所述第一工作区、所述第三工作区和所述第四工作区不同的温度,
其中,在所述第三焊球附接工艺期间,所述第三工作区具有与所述第一工作区、所述第二工作区和所述第四工作区不同的温度,并且
其中,在所述第四焊球附接工艺期间,所述第四工作区具有与第一工作区、所述第二工作区和所述第三工作区不同的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造