[发明专利]一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法及带口框的基板

说明书

本发明为一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法及带口框的基板，公开了一种用于嵌埋器件的封装基板口框及其制作方法，方法包括以下步骤：准备金属层；在金属层的第一面蚀刻第一通孔、制作第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；在金属层的第一面压合第一介质层；在金属层的第二面蚀刻第二通孔；在金属层的第二面制作种子层；在金属层的第二面制作第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；在金属层的第二面压合第二介质层；对第一介质层和第二介质层进行减薄处理；对第一蚀刻金属柱和第二蚀刻金属柱进行蚀刻，得到封装基板口框。本发明封装基板中口框相对于机械或是激光钻孔制备在生产效率上有很大提升；通过在封装基板中引入金属层，使得制得封装基板的机械强度和散热性能有所提高，封装的共面性也得到优化。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法及带口框的基板。

背景技术

现有的嵌埋器件基板通常需要在基板中制作口框以完成元器件的嵌埋工作。口框制作一般是在CCL(CopperCladLaminates，覆铜迭层板)工艺流程中通过机械或是激光钻孔制备口框、或是在coreless工艺流程中使用铜柱蚀刻方式制备口框。然而CCL流程中通过机械或是激光方式制备口框生产效率较低且所得成品散热性较差；而coreless流程制备口框在工艺上比较复杂，且所得成本机械强度不高，散热性能也不好。可见，现有的用于嵌埋器件的基板口框制作流程不适宜在大批量生产中应用。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种用于嵌埋器件的基板口框及其制作方法。

本发明的第一方面提供了一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法，包括以下步骤：

准备金属层，所述金属层包括相背设置的第一面和第二面；

在所述金属层的第一面蚀刻第一通孔、制作第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；

在所述金属层的第一面压合第一介质层，所述第一介质层覆盖第一通孔、第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；所述第一介质层的厚度大于第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱的高度；

在所述金属层的第二面蚀刻第二通孔，所述第二通孔与第一通孔导通；

在所述金属层的第二面制作种子层，所述种子层通过第二通孔接触第一介质层；

在所述金属层的第二面制作第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；

在所述金属层的第二面压合第二介质层，所述第二介质层覆盖第二通孔、第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；所述第一介质层的厚度大于第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱的高度；

对所述第一介质层和第二介质层进行减薄处理，使得所述第一导通金属柱、第一蚀刻金属柱、第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱的顶部端面从所述介质层中露出；

对第一蚀刻金属柱和第二蚀刻金属柱进行蚀刻，得到所述基板口框。

进一步地，所述在所述金属层的第一面蚀刻第一通孔，具体包括以下步骤：

在所述金属层的第一面和第二面贴合第一光刻胶层；

在第一面选定第一位置，曝光显影所述第一光刻胶层，令第二位置的第一光刻胶层溶解；

对金属层进行蚀刻处理，在第一位置处形成具有第一深度的第一通孔；

移除所述第一光刻胶层。

进一步地，所述在所述金属层的第一面制作第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱，具体包括以下步骤：

在所述金属层的第一面和第二面贴合第二光刻胶层；

在第一面选定第二位置，曝光显影所述第二光刻胶层，令第二位置的第二光刻胶层溶解；