“珠海越亚半导体股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果134个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种嵌埋器件封装基板及其制作方法-CN202210945044.6有效
发明人：陈先明;林文健;黄本霞;黄高 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种嵌埋器件封装基板以及制作方法，其中方法包括：在临时载板上表面制作第三线路层以及靶标，在第三线路层上以及靶标上压合第三介质层；在第三介质层上放置待嵌埋器件并在待嵌埋器件上覆盖第二介质层；在第二介质层上表面压合第二铜箔，通过第二铜箔制作第二线路层、第二铜柱以及第三铜柱；在第二线路层、第二铜柱以及第三铜柱上压合覆盖第一介质层，在第一介质层上表面压合第一铜箔并去除临时载板；在第三线路层的下表面压合第四介质层；在第四介质层的下表面压合第四铜箔；通过第四铜箔制作第四线路层以及第四铜柱，以及通过第一铜箔制作第一线路层以及第一铜柱。本方法可以减少基板翘曲。本申请可应用于半导体制造技术领域内。
一种器件封装及其制作方法

[实用新型]封装基板及集成模块-CN202320211400.1有效
发明人：陈先明;徐小伟;黄聚尘;黄本霞;黄高;张东锋 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种封装基板及集成模块，涉及半导体封装技术领域。封装基板包括基板、绝缘层、第一金属线路和第二金属线路；基板具有至少一个贯穿基板的第一通孔；绝缘层覆盖在基板的上表面和下表面，并填充第一通孔；第一金属线路设置于绝缘层的上表面，第二金属线路设置于绝缘层的下表面，第一金属线路与第二金属线路通过贯穿绝缘层的金属导通孔实现电性连接；其中，金属导通孔位于第一通孔内，且至少一个第一通孔的内部具有两个金属导通孔。根据本实用新型的封装基板，能够提升封装基板的刚性，避免封装基板在制作过程中发生翘曲现象，提升产品良率；同时，能够提升封装基板的金属过孔的密度，有利于实现产品的高集成化和小型化。
封装集成模块

[发明专利]一种高散热混合基板制作方法及半导体结构-CN202211081914.6有效
发明人：陈先明;徐小伟;黄聚尘;黄高;黄本霞;秦超标 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种高散热混合基板制作方法及半导体结构，其中方法包括以下步骤：准备一母基板；所述母基板包括绝缘层以及临时载板；所述绝缘层与所述临时载板压合；在所述母基板上设置若干个第一沟槽以及若干个第一腔体；在所述第一沟槽填充导热材料，形成第一导热块，以及，在所述第一腔体内贴装嵌埋器件并填充导热材料，形成第二导热块；去除所述临时载板，得到半成品基板；在所述半成品基板相对的两侧表面上制作线路层，得到目标母基板；沿着所述区域分割线切割所述目标母基板，得到侧面为导热面的混合基板；本方法可以得到散热性能更好的混合基板；本申请可广泛应用于集成电路制造技术领域内。
一种散热混合制作方法半导体结构

[实用新型]基板化学镀挂具-CN202223471933.8有效
发明人：陈先明;李志丹;刘春祥;彭建 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C18/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基板化学镀挂具，顶架和底架分别覆盖方体挂篮的上下端口，顶架和底架分别并排设置顶杆和底杆，顶杆和底杆开设有多个沿轴向排列的穿线孔，相邻两顶杆之间形成插板口，分隔线穿过穿线孔，顶杆与对应的底杆之间形成分隔网，底卡槽连接方体挂篮和/或底架，由插板口置入的基板可插入底卡槽的对应卡口。分隔网防止封装基板在化学镀过程中相互摩擦、碰撞或贴覆，本挂具只需调节分隔线，即可完成不同图形的封装基板化学镀，无需分别设置对应的挂具，解决行业难题，为企业节省较大的治具开发及管理成本；采用分隔线进行基板隔离，提升了化学镀的均匀性、稳定性及生产效率；此外，充分利用挂具的存储空间。
化学镀挂具

[发明专利]埋磁器件集成结构及其制作方法-CN202310348997.9在审
发明人：陈先明;徐小伟;洪业杰;黄本霞;黄高 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供一种埋磁器件集成结构及其制作方法。具体地，埋磁器件集成结构包括：第一绝缘层；第一线路层，设置于所述第一绝缘层的第一表面；元件和磁器件，分别嵌埋于所述第一绝缘层内，且所述元件的端子和所述磁器件的电极分别连接所述第一线路层；以及第二线路层，设置于所述第一绝缘层的第二表面，通过贯穿所述第一绝缘层的第一导通柱导电连通所述第一线路层；其中所述元件的至少一个端子与所述磁器件的至少一个电极通过所述第一线路层导电连通。这样的技术方案，实现了磁器件和元件同步嵌埋在同一薄绝缘层中的封装基板集成结构，缩小了嵌埋磁器件的嵌埋基板的厚度，简化了工艺流程，实现了埋磁器件封装基板的精细化线路布线。
器件集成结构及其制作方法

[发明专利]封装基板及其制作方法-CN202310351886.3在审
发明人：陈先明;洪业杰;黄高;黄本霞 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开提供一种封装基板及其制作方法。具体地，封装基板包括第一介质层；第一导通柱，嵌埋于所述第一介质层内；第一线路层，形成在所述第一介质层上；第一氧化石墨烯层，形成在所述第一介质层和所述第一线路层之间；其中，第一氧化石墨烯层与所述第一导通柱对应的区域被还原为第一石墨烯层，所述第一石墨烯层导通所述第一线路层和所述第一导通柱。利用氧化石墨烯表面的羰基、环氧基、羟基与金属、介质材料产生结合力，从而提升线路层和基材之间的结合力，实现更加精细线路的制作，防止精细线路剥离。
封装及其制作方法

[发明专利]金属口框芯片嵌埋封装基板及其制作方法-CN202310247368.7在审
发明人：陈先明;冯磊;冯进东;黄本霞;赵江江;黄高;张治军 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请提供一种金属口框芯片嵌埋封装基板及其制作方法。制作方法包括：准备金属板；在金属板上形成贯穿金属板的口框和围绕口框的金属框，对金属框的第一表面进行选择性部分蚀刻，以在金属框上形成第一凹槽；在口框中嵌埋芯片，使得芯片图形面朝向第一表面，并在金属框与第一表面相对的第二表面上层压介质层，其中介质层覆盖芯片的背面并填充第一凹槽；在介质层上形成盲孔和开窗；在第一表面形成第一线路层，在第二表面形成第二线路层，其中第一线路层与芯片的端子连接。本申请的基板具有更薄的成品封装厚度；更高的布线密度；并降低制程和材料成本。
金属芯片封装及其制作方法

[发明专利]塞孔结构及其制作方法-CN202310198666.1在审
发明人：陈先明;林文健;徐小伟;黄本霞;黄高 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种塞孔结构及其制作方法，涉及半导体封装技术领域。塞孔结构的制作方法包括以下步骤：对双面覆铜板进行钻孔，形成贯穿双面覆铜板上下表面的层间导通孔；在层间导通孔的孔壁及双面覆铜板的表面制作第一种子层，并在第一种子层的表面电镀形成铜层；在层间导通孔的内部填充树脂，使树脂与铜层的表面齐平；保留层间导通孔周侧的预定区域内的铜层和第一种子层，形成孔环，将其余位置的铜层、第一种子层及双面覆铜板表面的铜箔蚀刻掉；在双面覆铜板的表面制作第一线路，使第一线路与孔环电性连接。根据本发明实施例的塞孔结构的制作方法，无需经过两次电镀后再制作线路，能够适用于更精细的线路的制作。
结构及其制作方法

[发明专利]有机中介层结构及其制作方法和封装结构-CN202310247350.7在审
发明人：陈先明;洪业杰;黄高;黄本霞;徐小伟 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供一种有机中介层结构及其制作方法和封装结构。具体地，制作方法包括：(a)提供一承载板；(b)在所述承载板上施加临时键合层；(c)在所述临时键合层上施加感光介质层；(d)在所述感光介质层上开窗并实施金属化以形成线路层，其中所述开窗形成导通柱；(e)在所述线路层上重复步骤(c)和(d)直至达到目标层数；(f)对所述临时键合层解键合，移除所述承载板以暴露出所述导通柱；(g)减薄暴露的导通柱以形成第一焊盘；在最外层的暴露线路层表面形成阻焊层，所述阻焊层暴露出部分线路层以形成第二焊盘；(h)对所述第一焊盘和所述第二焊盘进行金属表面处理。
有机中介结构及其制作方法封装

[发明专利]嵌埋磁体框架、集成结构及制作方法-CN202310286921.8在审
发明人：陈先明;徐小伟;洪业杰;黄本霞;黄高;张东锋;冯进东 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌埋磁体框架、集成结构及制作方法，涉及半导体封装技术领域。嵌埋磁体框架的制作方法包括以下步骤：在承载板的表面制作导通金属柱、第一牺牲块和第二牺牲块；在承载板的表面压合第一介质层，使第一介质层覆盖导通金属柱、第一牺牲块和第二牺牲块；减薄第一介质层，暴露出导通金属柱、第一牺牲块及第二牺牲块的表面；蚀刻第一牺牲块和第二牺牲块，形成对应的第一安装腔和第二安装腔；在第一安装腔的内部填充磁浆，形成嵌埋磁体；去除承载板，形成嵌埋磁体框架。根据本发明实施例的嵌埋磁体框架的制作方法，通过将嵌埋磁体嵌埋在框架的内部，从而无需在封装基板的表面二次贴装磁性器件，节省生产流程和生产成本。
磁体框架集成结构制作方法

[发明专利]芯片封装结构及其制作方法-CN202310096938.7在审
发明人：陈先明;洪业杰;黄高;黄本霞;徐小伟;张治军;林文健 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片封装结构及其制作方法。制作方法包括：准备金属板；在金属板上形成贯穿金属板的通孔；贴装器件，使得器件的非端子面贴附在金属板上；在金属板的上表面层压形成第一介质层，在金属板的下表面层压形成第二介质层，使得器件嵌埋在第一介质层中；在通孔位置处形成贯穿第一介质层和第二介质层的导通孔；在第一介质层上形成暴露出器件的端子的第一盲孔；在第一介质层的表面形成第一线路层；在第二介质层的表面形成第二线路层；在第一线路层上形成第三介质层，在第三介质层上形成第三线路层；在第二线路层上形成第四介质层，在第四介质层上形成第四线路层，其中第三线路层与第一线路层导通连接，第四线路层与第二线路层导通连接。
芯片封装结构及其制作方法

[发明专利]一种嵌埋线路基板及其制作方法-CN202310064412.0在审
发明人：陈先明;黄聚尘;徐小伟;黄本霞;黄高;林文健 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本公开提供一种嵌埋线路基板及其制作方法。该方法包括在嵌埋第一线路层的芯板上形成第一铜柱和第二绝缘层，利用所述第二绝缘层包裹第一铜柱；在所述第二绝缘层上形成第三绝缘层，所述第三绝缘层包括第二图案；电镀填充所述第二图案，形成第二线路层以使第二线路层嵌埋于所述第三绝缘层内；在所述第二绝缘层和所述第二线路层上形成阻焊层。
一种线路及其制作方法

[发明专利]一种嵌埋同轴电感的基板及其制作方法-CN202310096947.6在审
发明人：陈先明;徐小伟;林文健;黄本霞;黄高;张东锋 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供一种嵌埋同轴电感的基板及其制作方法。具体地，所述制作方法包括：(a)提供一承载板；其中，所述承载板包括第一金属层；(b)在所述第一金属层上形成第一铜柱；(c)在所述第一金属层上形成第一绝缘层；(d)在所述第一绝缘层上形成第二金属层；(e)蚀刻所述第一开口位置的第一绝缘层，得到围绕所述第一铜柱的第一腔体；(f)在所述第一腔体中填充磁性材料；(g)去除所述承载板和所述第二金属层；(h)在所述第一绝缘层的两面分别压合第二绝缘层和第三绝缘层，形成嵌埋同轴电感的基板。本公开技术方案简化加工流程，可有效减少磁性材料的损失，避免磁性材料特性变化，有助于满足产品性能需求，降低了生产成本。
一种同轴电感及其制作方法

[发明专利]一种嵌埋封装散热结构及其制作方法以及半导体-CN202310095795.8在审
发明人：陈先明;徐小伟;黄高;黄本霞;林文健 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种嵌埋封装散热结构及其制作方法以及半导体，其中方法包括以下步骤形成第一半成品板；以所述第一金属层为基础，形成散热板；所述散热板与所述嵌埋器件的非引脚面贴合；在所述散热板上制作散热铜柱；设置介质层，所述介质层覆盖所述散热铜柱；在所述介质层上压合第二金属层；部分蚀刻所述第二金属层以及所述介质层，形成微流道；制作薄金属层，使所述微流道的内壁形成一体结构的隔离层，得到第二半成品板；制作第一覆盖层；压合所述第一覆盖层与所述第二半成品板，使所述第一覆盖层与所述隔离层密封连接，得到嵌埋封装散热结构。本方法可以改善嵌埋器件的散热效率。本申请可广泛应用于半导体制作技术领域内。
一种封装散热结构及其制作方法以及半导体

[发明专利]一种可浸润管脚基板结构及其制作方法-CN202310296959.3在审
发明人：陈先明;黄聚尘;高峻;黄本霞;魏勋 -专利权人： 珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H05K3/30 文献下载
摘要：本发明提出了一种可浸润管脚基板结构及其制作方法，方法包括：准备承载板，在承载板上制作铜柱和第二光阻层，在铜柱表面制作保护层，在保护层表面电镀出铜层通槽，去除第二光阻层后在承载板上侧压合绝缘层，将铜层通槽的上侧外露于绝缘层，制作与通槽铜层相连的第二线路层，分离承载板和绝缘层后，依次蚀刻铜柱和保护层，制作与铜层通槽下侧相连的第一线路层得到基板。根据本实施例的技术方案，能够以铜柱作为基础，在第二窗口中围绕保护层表面电镀出铜层通槽，蚀刻铜柱时，保护层对铜层通槽的内壁隔离，确保有效确保铜层通槽的铜层连续性和完整性，提高铜层通槽的质量，从而提高提升基板的良率，降低生产成本。
一种浸润管脚板结及其制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 134 条