[发明专利]发光二极管芯片单元及其制备方法及显示屏在审
申请号: | 202211009424.5 | 申请日: | 2022-08-22 |
公开(公告)号: | CN115458548A | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 李文涛;鲁洋;简弘安;胡加辉;金从龙 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 李素兰 |
地址: | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 单元 及其 制备 方法 显示屏 | ||
本发明公开了一种发光二极管芯片单元,包括基板和与所述基板相连的键合层、所述键合层上设有若干个像素点、所述键合层和像素点上覆盖有绝缘层和布线层、所述布线层用于驱动所述像素点。本发明制备显示屏时,可明显缩小显示屏的最小点间距,大幅度缩小芯片尺寸,提升显示屏的显示效果。
技术领域
本发明涉及发光二极管芯片技术领域,尤其涉及一种发光二极管芯片单元及其制备方法及显示屏。
背景技术
发光二极管,简称为LED,是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,它在照明领域应用广泛。随着技术的不断进步,发光二极管已被广泛地应用于显示器,近年来,人们提出了利用红光、绿光、蓝光三色的发光二极管作为直接显示的像素制备显示屏,技术路线包括POB、COB、COG等,以上方法均为利用镀Cu等工艺先制备好驱动线路板,再将发光二极管固晶,回流置于线路板之上。这导致现有技术制备的显示屏点间距最小为0.6mm,且所用红光、绿光、蓝光发光二极管芯片至少有一边需大于100μm。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种发光二极管芯片单元,其像素点之间的最小点间距小,且芯片尺寸小,能够提升显示屏的显示效果。
本发明所要解决的技术问题还在于,提供一种发光二极管芯片单元的制备方法,其能够制得结构紧凑的发光二极管芯片单元。
本发明所要解决的技术问题还在于,提供一种显示屏,其画质佳,显示效果好。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种发光二极管芯片单元,包括基板和与所述基板相连的键合层,所述键合层上设有若干个像素点,所述键合层和像素点上覆盖有绝缘层和布线层,所述布线层用于驱动所述像素点。
在一种实施方式中,所述键合层和像素点上覆盖有交替分布的绝缘层和布线层,所述布线层用于驱动所述像素点,所述布线层设于所述绝缘层之间;
所述像素点内包括若干个发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括电极,所述布线层穿过绝缘层后与所述电极电性连接。
在一种实施方式中,包括基板和与所述基板相连的键合层、所述键合层上设有若干个像素点、所述键合层和像素点上依次覆盖有第一绝缘层、第一布线层、第二绝缘层、第二布线层、第三绝缘层、第三布线层和第四绝缘层;
所述像素点内包括若干个发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型半导体层、发光量子阱层和P型半导体层,所述N型半导体层上设有N型电极,所述P型半导体层上设有P型电极,且所述P型半导体层上设有电流扩展层;
所述第三布线层穿过所述第三绝缘层与所述第二布线层电性连接,且所述第三布线层穿过所述第三绝缘层和第二绝缘层与所述第一布线层电性连接,所述第二布线层和所述第一布线层分别与所述P型电极和所述N型电极电性连接。
在一种实施方式中,所述像素点呈矩阵式排列;
所述第一布线层为列驱动导电线,所述列驱动导电线与同一列上的所有像素点内的N型电极相连;
所述第二布线层为行驱动导电线,所述行驱动导电线与同一行上的所有像素点内的P型电极相连;
所述第三布线层为引脚导电线,所述引脚导电线用于与显示屏上的电路器件连接。
在一种实施方式中,所述列驱动导电线、行驱动导电线和引脚导电线的线宽均为1μm-100μm;
所述列驱动导电线、行驱动导电线和引脚导电线的材料选用ITO、Ag、Cu、Al、AlCu、Ti、TiW、Ni、Pt、Au、AuSn和Sn中的一种或组合。
在一种实施方式中,所述第四绝缘层上还设有焊球,所述焊球穿过所述第四绝缘层与所述第三布线层电性连接;
所述焊球的材料选用Sn、SnAg和SnPb中的一种或组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的