[发明专利]发光二极管芯片单元及其制备方法及显示屏

权利要求书

1.一种发光二极管芯片单元，其特征在于，包括基板和与所述基板相连的键合层，所述键合层上设有若干个像素点，所述键合层和像素点上覆盖有绝缘层和布线层，所述布线层用于驱动所述像素点。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片单元，其特征在于，所述键合层和像素点上覆盖有交替分布的绝缘层和布线层，所述布线层用于驱动所述像素点，所述布线层设于所述绝缘层之间；

所述像素点内包括若干个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括电极，所述布线层穿过绝缘层后与所述电极电性连接。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片单元，其特征在于，所述键合层和像素点上依次覆盖有第一绝缘层、第一布线层、第二绝缘层、第二布线层、第三绝缘层、第三布线层和第四绝缘层；

所述像素点内包括若干个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型半导体层、发光量子阱层和P型半导体层，所述N型半导体层上设有N型电极，所述P型半导体层上设有P型电极，且所述P型半导体层上设有电流扩展层；

所述第三布线层穿过所述第三绝缘层与所述第二布线层电性连接，且所述第三布线层穿过所述第三绝缘层和第二绝缘层与所述第一布线层电性连接，所述第二布线层和所述第一布线层分别与所述P型电极和所述N型电极电性连接。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片单元，其特征在于，所述像素点呈矩阵式排列；

所述第一布线层为列驱动导电线，所述列驱动导电线与同一列上的所有像素点内的N型电极相连；

所述第二布线层为行驱动导电线，所述行驱动导电线与同一行上的所有像素点内的P型电极相连；

所述第三布线层为引脚导电线，所述引脚导电线用于与显示屏上的电路器件连接。

5.如权利要求4所述的发光二极管芯片单元，其特征在于，所述列驱动导电线、行驱动导电线和引脚导电线的线宽均为1μm-100μm；

所述列驱动导电线、行驱动导电线和引脚导电线的材料选用ITO、Ag、Cu、Al、AlCu、Ti、TiW、Ni、Pt、Au、AuSn和Sn中的一种或组合。

6.如权利要求3所述的发光二极管芯片单元，其特征在于，所述第四绝缘层上还设有焊球，所述焊球穿过所述第四绝缘层与所述第三布线层电性连接；

所述焊球的材料选用Sn、SnAg和SnPb中的一种或组合。

7.如权利要求3所述的发光二极管芯片单元，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层上均设有通孔；

所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的材料选用SiO₂、TiO₂、Ti₃O₅、AL₂O₃、SiN、硅胶和树脂中的一种或组合；

所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的厚度为0.5μm-30μm。

8.如权利要求1所述的发光二极管芯片单元，其特征在于，相邻的两个所述像素点的中心间距为0.2mm-3mm。

9.如权利要求3所述的发光二极管芯片单元，其特征在于，所述发光二极管芯片包括红色发光二极管芯片、绿色发光二极管芯片和蓝色发光二极管芯片；

所述P型半导体层、发光量子阱层、N型半导体层的材料选用GaN、InGaN、AlGaN、GaAs、InGaAs和PGaAs中的一种或组合；

所述P型电极或N型电极的材料选用Cr、Al、Ti、Ni、Pt、Cu、Au、AlCu、AuBe和AuGe中的一种或组合；

所述电流扩展层的材料为ITO和/或Ag。