[发明专利]一种玻钝表贴二极管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210969262.3 申请日: 2022-08-12
公开(公告)号: CN115332194A 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 刘德军;杨春梅;齐胜伟;吴王进;胡耀文 申请(专利权)人: 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 汪劲松
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 玻钝表贴 二极管 及其 制造 方法
【说明书】:

发明提供了一种玻钝表贴二极管及其制造方法,通过单晶片→磨片→磷/硼扩散→喷砂→蒸铝→裂片→管芯点腐蚀→装模→烧焊→台面腐蚀→包封玻璃粉→高温成型的工艺步骤成型,使玻璃钝化实体封装表贴二极管更加小型化、轻量化、薄片化,由于玻璃钝化实体封装表贴二极管的结构材料温度最低的是铝,其熔点也达到近600℃,所以能很好的发挥三代半导体二极管高结温的优势。

技术领域

本发明涉及一种玻钝表贴二极管及其制造方法。

背景技术

随着电子系统向小型化、轻量化方向发展,对小型化贴片器件的需求越来越大。塑封表贴器件和陶瓷表贴器件得到了广泛使用;但塑封表贴器件因其可靠性限制,只能运用于中低端市场;陶瓷表贴器件又因其制造成本高,在中高端领域应用受到了限制。

玻璃钝化实体封装二极管以其高温稳定性、抗辐照能力强、可靠性高、成本低等优势,已广泛应用于低中高端领域;但目前了解到的玻璃钝化实体封装表贴二极管的尺寸都比较大,很难满足电子系统小型化、轻量化的要求。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供了一种玻钝表贴二极管及其制造方法。

本发明通过以下技术方案得以实现。

本发明提供的一种玻钝表贴二极管,包括管芯;所述管芯的两端分别设置有蒸铝层,两个蒸铝层的端面上分别焊接有钼电极,两个钼电极的另一端向延伸出管芯后加工有垂直折弯,二极管的两端还填充覆盖有钝化玻璃。

所述两个钼电极的一端分别与管芯的两个侧面对齐。

所述两个钼电极上的垂直折弯方向相同,垂直折弯的外侧及侧面均暴露在外。

一种玻钝表贴二极管的制造方法,其步骤为:

1将N型硅片的一面进行打磨;

2对硅片进行磷硼扩散,形成的磷面结深为10-80μm,方块电阻≤3Ω/□;硼面结深为10-80μm,方块电阻≤5Ω/□;

3对硅片进行喷砂处理去除硅片表面的硼扩散形成的硼硅玻璃层;

4在硅片的磷扩散面蒸铝,蒸铝后合金,铝层的厚度为6-16μm;

5对硅片进行切割得到管芯,将管芯放入酸溶液中腐蚀;

6将两块钼片焊接在管芯的两面;

7将管芯放入碱溶液中进行腐蚀后放入钝化液中钝化;

8在管芯外壁上形成玻璃封装。

所述N型硅片打磨后的厚度为200-350μm,电阻率为0.003Ω·cm -500Ω·cm。

所述步骤2中扩散温度为1100-1280℃,扩散时间为5-50h。

所述喷砂采用压缩空气携带规格为302#或303#的金刚砂,压缩空气气压为0.1×105pa—5×105pa。

所述步骤4中合金温度为450-550℃,恒温时间为5-20min。

所述酸溶液中HF和HNO3的体积比为1:5,腐蚀时间为80-180S,腐蚀后使用冷去离子水冲洗并使用酒精脱水后烘干。

所述钼电极通过烧结焊接在管芯上,烧结的真空度:≥ 3.4X10-3pa,以5-25℃/min的升温速率升温至660-700℃后恒温2-5 min;然后以≤5℃/min的降温速率降温至100℃。

所述碱溶液为:2-12%浓度的KOH溶液,腐蚀过程中以80℃ -100℃的温度腐蚀2min-25min,腐蚀后热去离子水冲洗,再放入热去离子水煮沸5次,最后使用用热、冷去离子水交叉冲洗半小时以上;

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