[发明专利]一种玻钝表贴二极管及其制造方法在审
申请号: | 202210969262.3 | 申请日: | 2022-08-12 |
公开(公告)号: | CN115332194A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 刘德军;杨春梅;齐胜伟;吴王进;胡耀文 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 汪劲松 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻钝表贴 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种玻钝表贴二极管,包括管芯(3),其特征在于:所述管芯(3)的两端分别通过蒸铝层(4)焊接有钼电极(2),两个钼电极(2)的另一端延伸出管芯(3)后加工有垂直折弯,二极管的两端还填充覆盖有钝化玻璃(1)。
2.如权利要求1所述的一种玻钝表贴二极管,其特征在于:所述两个钼电极(2)的一端分别与管芯(3)的两个侧面对齐。
3.如权利要求1所述的一种玻钝表贴二极管,其特征在于:所述两个钼电极(2)上的垂直折弯方向相同,垂直折弯的外侧及侧面均暴露在外。
4.一种玻钝表贴二极管的制造方法,其步骤为:
1)将N型硅片的一面进行打磨,打磨后的N型硅片厚度为200-350μm,电阻率为0.003Ω·cm-500Ω·cm;
2)对硅片进行磷硼扩散,形成的磷面结深为10-80μm,方块电阻≤3Ω/□;硼面结深为10-80μm,方块电阻≤5Ω/□;
3)使用气压为0.1×105pa—5×105pa的压缩空气携带规格为302#或303#的金刚砂对硅片进行喷砂处理去除硅片表面的硼扩散形成的硼硅玻璃层;
4)在硅片的磷扩散面蒸铝,蒸铝后合金,合金温度为450-550℃,恒温时间为5-20min,铝层的厚度为6-16μm;
5)对硅片进行切割得到管芯,将管芯放入酸溶液中腐蚀;
6)将两块钼片焊接在管芯的两面;
7)将管芯放入碱溶液中进行腐蚀后放入钝化液中钝化;
8)在管芯外壁上形成玻璃封装。
5.如权利要求4所述的玻钝表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述步骤2)中扩散温度为1100-1280℃,扩散时间为5-50h。
6.如权利要求4所述的玻钝表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述酸溶液中HF和HNO3的体积比为1:5,腐蚀时间为80-180S,腐蚀后使用冷去离子水冲洗并使用酒精脱水后烘干。
7.如权利要求4所述的玻钝表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述钼电极通过烧结焊接在管芯上,烧结的真空度:≥3.4X10-3pa,以5-25℃/min的升温速率升温至660-700℃后恒温2-5min;然后以≤5℃/min的降温速率降温至100℃。
8.如权利要求4所述的玻钝表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述碱溶液为:2-12%浓度的KOH溶液,腐蚀过程中以80℃-100℃的温度腐蚀2min-25min,腐蚀后热去离子水冲洗,再放入热去离子水煮沸5次,最后使用用热、冷去离子水交叉冲洗半小时以上。
9.如权利要求4所述的玻钝表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述钝化液为≥30%双氧水、≥85%双氧水和离子水按质量百分比1:1:1.3混合的混合液,短话时间为1-10min。
10.如权利要求4所述的玻钝表贴二极管的制造方法,其特征在于:所述封装过程中在管芯表面包裹玻璃粉后放入烧结炉,烧结炉然后以5-25℃/min升温速率升温至660℃后保持2-15min,然后以≤5℃/min降温速率降低至室温。
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