[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括设置在基底上的驱动结构层，驱动结构层包括像素驱动电路，像素驱动电路至少包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，第一类型晶体管至少包括第一有源层，第二类型晶体管至少包括第二有源层；第一有源层包括第一沟道区域以及位于第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，第二有源层包括第二沟道区域以及位于第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率与第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率不同。

技术领域

本公开实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)的显示基板中，目前应用的最广泛的是低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)显示基板。在LTPS背板中，全部的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)采用LTPS工艺制备，得到的晶体管迁移率高、稳定性好，保证了显示装置在高分辨率(Pixels Per Inch，简称PPI)的显示效果。

经本申请发明人研究发现，LTPS显示基板中，晶体管的漏电流较大，显示基板的功耗较大。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决现有LTPS显示基板中晶体管的漏电流大的问题。

第一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括设置在基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，所述第一类型晶体管至少包括第一有源层，所述第二类型晶体管至少包括第二有源层；所述第一有源层包括第一沟道区域以及位于所述第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，所述第二有源层包括第二沟道区域以及位于所述第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率与所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率不同。

一示例性实施例中，所述第一类型晶体管是驱动晶体管，所述第二类型晶体管是开关晶体管，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率低于所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率。

一示例性实施例中，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率为：1E-4Ω〃cm至1E-1Ω〃cm；所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率为：1E-1Ω〃cm至1E2Ω〃cm。

一示例性实施例中，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层和所述第二源漏连接区域对应的第二有源层均包含掺杂的N型离子，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的N型离子含量高于所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的N型离子含量。

一示例性实施例中，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层中N型离子的含量为1E18cm^-3至1E21cm^-3，所述第二源漏连接区域对应的第二有源层中N型离子的含量为1E15cm^-3至1E18cm^-3。

一示例性实施例中，所述N型离子包括以下离子中的一种或多种：磷离子、氮离子、砷离子和锑离子。

一示例性实施例中，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层和所述第二源漏连接区域对应的第二有源层均包含掺杂的P型离子，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的P型离子含量高于所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的P型离子含量。