[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括设置在基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，所述第一类型晶体管至少包括第一有源层，所述第二类型晶体管至少包括第二有源层；所述第一有源层包括第一沟道区域以及位于所述第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，所述第二有源层包括第二沟道区域以及位于所述第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率与所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率不同。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一类型晶体管是驱动晶体管，所述第二类型晶体管是开关晶体管，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率低于所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率为：1E-4Ω〃cm至1E-1Ω〃cm；所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率为：1E-1Ω〃cm至1E2Ω〃cm。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层和所述第二源漏连接区域对应的第二有源层均包含掺杂的N型离子，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的N型离子含量高于所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的N型离子含量。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层中N型离子的含量为1E18 cm^-3至1E21 cm^-3，所述第二源漏连接区域对应的第二有源层中N型离子的含量为1E15 cm^-3至1E18 cm^-3。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述N型离子包括以下离子中的一种或多种：磷离子、氮离子、砷离子和锑离子。

7.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层和所述第二源漏连接区域对应的第二有源层均包含掺杂的P型离子，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的P型离子含量高于所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的P型离子含量。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层中P型离子的含量为1E18 cm^-3至1E21 cm^-3，所述第二源漏连接区域对应的第二有源层中P型离子的含量为1E15 cm^-3至1E18 cm^-3。

9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述P型离子包括以下离子中的一种或多种：硼离子、铝离子、镓离子和铟离子。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的显示基板。

11.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，所述第一类型晶体管至少包括第一有源层，所述第二类型晶体管至少包括第二有源层；所述第一有源层包括第一沟道区域、位于所述第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，所述第二有源层包括第二沟道区域、位于所述第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率与所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率不同。