[发明专利]发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法

说明书

发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。

技术领域

本发明涉及发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法，例如优选应用于半导体元件安装于电路基板而成的发光装置。

背景技术

近年来，已提出如下的发光装置：选择性地驱动呈矩阵状安装于电路基板的多个半导体元件使它们发光，由此显示图像(例如参照专利文献1和专利文献2)。

专利文献1：日本特许第4474441号公报

专利文献2：日本特许第4555880号公报

在这种发光装置中，期望进一步实现高画质化。

发明内容

本发明正是考虑以上方面而完成的，提出能够实现高画质化的发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。

为了解决该课题，在本发明的发光装置中设置：第1层，其配置有第1发光元件；第2层，其层叠于第1层，包含在从与第1发光元件的发光面垂直的发光方向观察时与第1发光元件的至少一部分重叠的第2发光元件；以及控制基板，其层叠有第1层，对第1发光元件和第2发光元件的发光进行控制，第1层在发光方向上从与第2层对置的第1面到与控制基板对置的第2面形成有第1开口，第2发光元件和控制基板经由第1开口电导通。

此外，也可以是，第1发光元件和第2发光元件由彼此不同的材料形成。具体而言，第1发光元件和第2发光元件中的一方由III-V族化合物半导体材料形成，第1发光元件和第2发光元件中的另一方由GaN系材料形成。并且，第1发光元件和第2发光元件的发光方向的厚度为3[μm]以下。

此外，在本发明的半导体结构体中设置：基材；第1层，其设置于基材上，包含第1发光元件；以及第2层，其层叠于第1层，包含在从层叠方向观察时与第1发光元件的至少一部分重叠的第2发光元件，第1层具有：开口，其在层叠方向上以从与第2层对置的第1面到与基材对置的第2面的方式形成；以及第1电极，其设置于开口，第2层具有在从层叠方向观察时与第1电极重叠的第2电极。

进而，在本发明的薄膜层制造方法中包含以下工序：薄膜层形成工序，在基板上形成第1绝缘层，在第1绝缘层上利用分子间力形成发光元件，在第1绝缘层形成贯通该第1绝缘层的第1绝缘层开口，形成覆盖第1绝缘层和发光元件的第2绝缘层，在第2绝缘层形成与第1绝缘层开口连通的第2绝缘层开口，利用导电材料覆盖第1绝缘层开口和第2绝缘层开口，使第2绝缘层的表面平坦化，由此形成第1薄膜层和第2薄膜层；以及接合工序，在通过薄膜层形成工序形成的第1薄膜层的第2绝缘层的表面上，以形成于第1薄膜层和第2薄膜层的发光元件重叠的方式配置通过薄膜层形成工序形成的第2薄膜层，利用分子间力将第2薄膜层的导电材料和第1薄膜层的导电材料接合。

此外，在本发明的发光装置制造方法中具有以下工序：利用分子间力将上述的控制基板和第1层接合；以及利用分子间力将上述的第1层和第2层接合。

本发明能够在与控制基板之间夹着第1层的状态下，通过控制基板来控制第2层中的第2发光元件的发光，第2层配置有以与第1发光元件重复的方式在发光方向上层叠的第2发光元件。

根据本发明，可得到能够实现高画质化的发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。

附图说明