[发明专利]发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法在审
申请号: | 202210942482.7 | 申请日: | 2022-08-08 |
公开(公告)号: | CN115732530A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 | 申请(专利权)人: | 冲电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 马建军;邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 半导体 结构 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种发光装置,该发光装置具有:
第1层,其配置有第1发光元件;
第2层,其层叠于所述第1层,包含在从与所述第1发光元件的发光面垂直的发光方向观察时与所述第1发光元件的至少一部分重叠的第2发光元件;以及
控制基板,其层叠有所述第1层,对所述第1发光元件和所述第2发光元件的发光进行控制,
所述第1层在所述发光方向上从与所述第2层对置的第1面到与所述控制基板对置的第2面形成有第1开口,
所述第2发光元件和所述控制基板经由所述第1开口电导通。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
在所述第1开口配置有实现所述第2发光元件与所述控制基板的导通的电极,
所述第1面至少由覆盖所述第1发光元件的第1绝缘材料和所述电极构成,
所述第2面至少由安装有所述第1发光元件的第2绝缘材料和所述电极构成。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其中,
在所述第1面中,所述第1绝缘材料和所述电极成为同一面,
在所述第2面中,所述第2绝缘材料和所述电极成为同一面。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其中,
所述第1面和所述第2面中的表面粗糙度为10[nm]以下。
5.根据权利要求2所述的发光装置,其中,
所述电极是通过将第1导通部件和第2导通部件电连接而构成的,
所述第1导通部件具有从所述第1面露出的第1露出面,
所述第2导通部件具有从所述第2面露出的第2露出面。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述第1层还具有导通部件,该导通部件在从所述发光方向观察时与所述第1开口不同的位置处使所述第1发光元件和所述控制基板导通。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述控制基板至少具有:
第1连接盘,其与所述第1发光元件导通;
第2连接盘,其与所述第2发光元件导通;
第1有源元件,其与所述第1连接盘电连接;以及
第2有源元件,其与所述第2连接盘电连接。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述发光装置还具有第3层,该第3层层叠于所述第2层,包含在从所述发光方向观察时与所述第1发光元件和所述第2发光元件的至少一部分重叠的第3发光元件,
所述第1层在从所述发光方向观察不与所述第1开口重叠的区域中从所述第1面到所述第2面形成有第2开口,
所述第2层在从所述发光方向观察与所述第2开口重叠的区域中从与所述第1层对置的第3面到与所述第3层对置的第4面形成有第3开口,
所述第3发光元件和所述控制基板经由所述第2开口和所述第3开口电导通。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其中,
所述发光装置还具有:
第1引出线,其设置于所述第1层,从所述第1发光元件向第1方向延伸,使所述第1发光元件和所述控制基板电导通;以及
第2引出线,其设置于所述第2层,从所述第2发光元件朝向所述第1开口向与所述第1方向不同的第2方向延伸,经由所述第1开口使所述第2发光元件和所述控制基板电导通。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其中,
所述第1引出线使所述第1发光元件的一个极性的端子和所述控制基板电导通,
所述第2引出线使所述第2发光元件的一个极性的端子和所述控制基板电导通,
所述发光装置还具有:
第3引出线,其设置于所述第1层,从所述第1发光元件的另一个极性的端子向与所述第1方向和所述第2方向不同的第3方向延伸;以及
第4引出线,其设置于所述第2层,从所述第2发光元件的另一个极性的端子向所述第3方向延伸,与所述第3引出线电导通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的