[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 202210941866.7 申请日: 2022-08-08
公开(公告)号: CN115732446A 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 佃龙明 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/485;H01L25/065
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 张宁
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

芯片安装部;

半导体芯片,被安装在所述芯片安装部上;以及

夹具,经由第一银膏安装在所述半导体芯片上,

其中所述半导体芯片包括:

钝化膜,具有开口;

第一焊盘,具有在所述开口处从所述钝化膜暴露的部分;以及

壁部,设置在所述钝化膜上以在平面图中包围所述第一焊盘,其中在截面图中,所述壁部的厚度大于所述钝化膜的厚度,

其中从所述钝化膜暴露的所述第一焊盘的所述部分的整体被所述第一银膏覆盖,并且

其中在所述平面图中,连接所述第一焊盘与所述夹具的所述第一银膏被定位在由所述壁部包围的区域的内部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中所述第一银膏与所述壁部接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中所述第一焊盘以及与所述第一焊盘不同的第二焊盘设置在所述半导体芯片的表面上,并且

其中在所述平面图中所述第一焊盘和所述第二焊盘由所述壁部分开。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,

其中所述壁部具有在所述平面图中与所述第二焊盘中的每个第二焊盘重叠的部分。

5.根据权利要求3所述的半导体器件,

其中接合线连接到所述第二焊盘。

6.根据权利要求3所述的半导体器件,

其中所述半导体芯片被形成有:

主晶体管,电流流过所述主晶体管;以及

感测晶体管,被提供用于检测所述电流的电流值,

其中所述第一焊盘是所述主晶体管的源极焊盘,并且

所述第二焊盘是所述感测晶体管的源极焊盘。

7.根据权利要求3所述的半导体器件,

其中所述半导体芯片包括:

第一边,在所述平面图中与所述夹具的引出部交叉,

第二边,面向所述第一边;

第三边,与所述第一边和所述第二边交叉;以及

第四边,面向所述第三边。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,

其中所述第二焊盘设置在所述第二边与所述第三边的相交部分处。

9.根据权利要求7所述的半导体器件,

其中所述半导体芯片的表面设置有所述第一焊盘、所述第二焊盘和第三焊盘,所述第三焊盘不同于所述第一焊盘和所述第二焊盘中的每一者,

其中包括所述第二焊盘的第一焊盘组设置在所述第一边与所述第三边的相交部分处,并且

其中包括所述第三焊盘的第二焊盘组设置在所述第二边与所述第三边的相交部分处。

10.根据权利要求3所述的半导体器件,

其中所述半导体芯片在所述平面图中的形状为矩形,并且

其中所述半导体芯片包括:

第一边,所述第一边是短边;

第二边,面向所述第一边;

第三边,所述第三边是与所述第一边和所述第二边中的每一者交叉的长边;以及

第四边,面向所述第三边,以及

其中所述第四边在所述平面图中与所述夹具的引出部交叉。

11.根据权利要求6所述的半导体器件,

其中所述主晶体管和所述感测晶体管中的每一者是垂直沟槽功率晶体管,所述电流在所述半导体芯片的厚度方向上流过所述垂直沟槽功率晶体管。

12.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中所述壁部由有机绝缘膜构成。

13.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中所述夹具由铜制成。

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