[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上形成垫氧化层；

在所述衬底内形成多个浅沟槽；

在所述浅沟槽底部的所述衬底中注入杂质离子，形成埋层区，所述埋层区包裹的所述浅沟槽的深度，为所述浅沟槽深度的四分之一至二分之一；

在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，形成第一浅沟槽隔离结构和多个第二浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构位于半导体器件内，所述第二浅沟槽隔离结构位于相邻所述半导体器件之间；

在所述衬底内注入第一掺杂离子形成漂移区，且所述漂移区包裹所述第一浅沟槽隔离结构和所述第一浅沟槽隔离结构底部的所述埋层区，所述漂移区的所述第一掺杂离子的注入剂量小于所述埋层区的所述杂质离子的注入剂量；

在所述衬底内形成阱区；

在所述垫氧化层上形成栅极材料层，并刻蚀所述栅极材料层、所述第一浅沟槽隔离结构和所述垫氧化层，形成栅极结构；

在所述阱区内形成源区；以及

在所述漂移区内形成漏区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述埋层区的形成步骤包括：

形成所述浅沟槽后，在所述浅沟槽内壁和底部形成内衬氧化层；以及

向所述浅沟槽底部的所述衬底内注入所述杂质离子。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述杂质离子的注入能量为15keV~30keV。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述杂质离子的注入剂量为1x10¹² atoms/cm²~1x10¹⁴ atoms/cm²。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述埋层区的底部呈方形或弧形设置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述漂移区的深度大于所述浅沟槽的深度，所述漂移区还包裹与所述漂移区接触的所述第二浅沟槽隔离结构底部的部分所述埋层区。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述阱区的深度和所述漂移区的深度相等，所述阱区包裹远离所述漂移区一侧的所述第二浅沟槽隔离结构底部的部分所述埋层区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成的所述栅极结构覆盖部分所述第一浅沟槽隔离结构，并向所述阱区方向延伸，直至覆盖部分所述阱区。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

漂移区，设置在所述衬底内，且所述漂移区通过向所述衬底内注入第一掺杂离子获得；

阱区，与所述漂移区并列设置在所述衬底内；

第一浅沟槽隔离结构和多个第二浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构位于半导体器件内，所述第二浅沟槽隔离结构位于相邻所述半导体器件之间；

埋层区，设置在所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构的底部，且所述埋层区通过向所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构底部的所述衬底内注入杂质离子获得，所述埋层区包裹的所述第一浅沟槽隔离结构或所述第二浅沟槽隔离结构的深度，为所述第一浅沟槽隔离结构或所述第二浅沟槽隔离结构的四分之一至二分之一，且所述漂移区包裹所述第一浅沟槽隔离结构和所述第一浅沟槽隔离结构底部的所述埋层区，所述漂移区的所述第一掺杂离子的注入剂量小于所述埋层区的所述杂质离子的注入剂量；

栅极结构，设置在部分所述第一浅沟槽隔离结构上，并向所述阱区方向延伸，直至覆盖部分所述阱区；

源区，设置在所述阱区内；以及

漏区，设置在所述漂移区内。