[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，抑制产生密封部件相对于冷却板的剥离。在半导体装置(10)中，冷却板(60)具备结合部(61)，该结合部(61)相对于正面(S)呈凸状，并包括相对于正面(S)以锐角倾斜的卡合面(61a、61b)。如果这样的结合部(61)也被密封部件(75)密封，则卡合面(61a、61b)相对于密封部件(75)具有锚固效果。因此，抑制产生密封部件(75)从冷却板(60)的剥离。因此，防止半导体装置(10)的可靠性的降低。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

半导体装置包括功率器件，并被用作电力变换装置。功率器件例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。另外，半导体装置将包含配置在由金属构成的冷却板上的功率器件的半导体芯片和绝缘电路基板收纳在壳体中，并利用密封部件将壳体内密封。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-115297号公报

发明内容

技术问题

半导体装置由于温度循环，因构成半导体装置的部件的线膨胀系数之差而产生应力。特别是，在冷却板与密封部件之间的界面产生较大的应力。因此，导致密封部件从冷却板剥离。如果密封部件剥离，则有时水分会从剥离部位浸入。由此，变得无法维持半导体芯片和绝缘电路基板等的绝缘性。

本发明是鉴于这一点而做出的，其目的在于提供一种抑制产生密封部件相对于冷却板的剥离的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其具备半导体芯片、绝缘电路基板、冷却板、壳体以及密封部件，所述绝缘电路基板包括绝缘板、形成于所述绝缘板的正面且接合有所述半导体芯片的电路图案以及形成于所述绝缘板的背面的金属板，所述冷却板在正面经由接合部件接合有所述绝缘电路基板，所述壳体经由粘接剂沿着所述正面的外缘部以环状接合于所述外缘部，并包围所述半导体芯片和所述绝缘电路基板，所述密封部件对所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体芯片和所述绝缘电路基板进行密封，所述冷却板具备结合部，所述结合部相对于所述正面呈凸状或凹状，并包括相对于所述正面以锐角倾斜的卡合面。

技术效果

根据公开的技术，能够防止密封部件与冷却板的剥离，抑制半导体装置的可靠性的降低。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的侧视截面图。

图2是第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图3是第一实施方式的半导体装置的主要部分侧视截面图。

图4是第一实施方式的变形例1-1的半导体装置所包括的结合部的图。

图5是第一实施方式的变形例1-2的半导体装置的俯视图。

图6是第一实施方式的变形例1-3的半导体装置的俯视图。

图7是第一实施方式的变形例1-4的半导体装置的俯视图(其一)。

图8是第一实施方式的变形例1-4的半导体装置的俯视图(其二)。

图9是第二实施方式的半导体装置的主要部分侧视截面图。

图10是第二实施方式的变形例2-1的半导体装置的主要部分侧视截面图。

图11是第三实施方式的半导体装置的主要部分侧视截面图。