[发明专利]半导体装置在审
| 申请号: | 202210755185.1 | 申请日: | 2022-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN115911009A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
| 发明(设计)人: | 山田教文 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包跃华;周爽 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体芯片;
绝缘电路基板,包括绝缘板、形成于所述绝缘板的正面且接合有所述半导体芯片的电路图案、以及形成于所述绝缘板的背面的金属板;
冷却板,在正面经由接合部件接合有所述绝缘电路基板;
壳体,经由粘接剂沿着所述正面的外缘部以环状接合于所述外缘部,并包围所述半导体芯片和所述绝缘电路基板;以及
密封部件,对所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体芯片和所述绝缘电路基板进行密封,
所述冷却板具备结合部,所述结合部相对于所述正面呈凸状或凹状,并包括相对于所述正面以锐角倾斜的卡合面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在侧视时,所述结合部在所述冷却板的正面形成在所述接合部件与所述壳体之间。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
在俯视时,所述结合部在所述冷却板的正面形成在所述结合部的靠所述壳体侧的端面与所述绝缘电路基板的靠所述壳体侧的基板端部重叠的位置与所述壳体之间。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
在俯视时,所述结合部在所述冷却板的正面还形成在所述结合部的靠所述接合部件侧的端面与所述基板端部重叠的位置与所述壳体之间。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述结合部的所述卡合面包括朝向所述绝缘电路基板侧的第一卡合面。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述结合部的所述卡合面包括朝向所述壳体侧的第二卡合面。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,
所述结合部的所述卡合面还包括朝向所述壳体侧的第二卡合面。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在所述结合部为凸状的情况下,所述卡合面在侧视时位于所述冷却板的与所述绝缘电路基板的所述绝缘板的端部对置的区域。
9.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
所述结合部的所述第二卡合面接近所述壳体。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二卡合面的与所述冷却板的正面相反一侧的上端与所述壳体的内壁面接触。
11.根据权利要求9或10所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二卡合面的靠所述冷却板的正面侧的下端位于距所述壳体的内壁面为所述粘接剂的厚度的5倍以内的位置。
12.根据权利要求9或10所述的半导体装置,其特征在于,
所述第二卡合面的所述壳体侧的距所述正面的高度为所述粘接剂的厚度以上且比所述绝缘板矮。
13.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述结合部在俯视时沿着所述壳体形成于所述冷却板。
14.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,
所述结合部在俯视时沿着所述壳体呈环状地连续形成于所述冷却板。
15.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,
所述结合部在俯视时沿着所述壳体呈环状且虚线状地形成于所述冷却板。
16.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,
所述结合部包括在俯视时形成于所述冷却板的所述壳体的角部的部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210755185.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





