[发明专利]一种半导体结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 202210739444.1 申请日: 2022-06-28
公开(公告)号: CN115020259B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 张胜利;丁贺;高健;肖美健;罗志勇 申请(专利权)人: 今上半导体(信阳)有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;H01L23/488
代理公司: 深圳众邦专利代理有限公司 44545 代理人: 丁曹凯
地址: 464000 河南省信阳*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 结构 及其 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1,提供基板,所述基板具有相对设置的第一表面和第二表面,第一表面上设有若干个焊料凸块,第二表面上设有若干个金属凸层;

S2,在所述第二表面上形成光刻胶层I,所述光刻胶层I具有裸露出金属凸层顶部的第一凹槽;

S3,提供芯片,所述芯片具有相背的第一上表面和第二下表面,第一上表面上设有若干个焊盘,在每个焊盘的上表面上对应地设有导电连接层;

S4,在所述第一上表面和导电连接层上形成光刻胶层II,所述光刻胶层II具有裸露出导电连接层顶部的第二凹槽;

S5,在第二凹槽内设置导电片,所述导电片的与导电连接层相背的一侧具有容纳焊料凸点的凹口;

S6,通过热压键合法将芯片的导电片和基板的金属凸层进行键合连接;

所述步骤S5包括如下步骤:

S5.1,提供焊料垫片,将焊料垫片分别放置在第二凹槽上,使得焊料垫片的至少两个相对的侧边搭接在第二凹槽外围的光刻胶层II上;

S5.2,将导电片放置在焊料垫片上,且导电片位于第二凹槽的正上方,下压导电片使得焊料垫片弯折以定位并夹固导电片;

S5.3,对焊料垫片进行加热,使得焊料垫片熔融为焊料并回流至第二凹槽的底部,进而将导电片和导电连接层焊接固定。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的封装方法,其特征在于,所述焊料垫片的长度小于第二凹槽的长度且焊料垫片的宽度大于第二凹槽的宽度,或者焊料垫片的长度大于第二凹槽的长度且焊料垫片的宽度小于第二凹槽的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的封装方法,其特征在于,所述焊料垫片的厚度不大于第二凹槽的深度的1/3。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的封装方法,其特征在于,所述导电片的长度小于或等于第二凹槽的长度,且导电片的宽度小于或等于第二凹槽的宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的封装方法,其特征在于,所述金属凸层、焊料凸点以及导电片的总厚度不超过光刻胶层I和光刻胶层II的总厚度,光刻胶层II的厚度高于导电片的高度,且低于导电片和焊料凸点的总高度。

6.一种半导体结构的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1,提供基板,所述基板具有相对设置的第一表面和第二表面,第一表面上设有若干个焊料凸块,第二表面上设有若干个金属凸层;

S2,在所述第二表面上形成光刻胶层I,所述光刻胶层I具有裸露出金属凸层顶部的第一凹槽;

S3,提供芯片,所述芯片具有相背的第一上表面和第二下表面,第一上表面上设有若干个焊盘,在每个焊盘的上表面上对应地设有导电连接层;

S4,在所述第一上表面和导电连接层上形成光刻胶层II,所述光刻胶层II具有裸露出导电连接层顶部的第二凹槽;

S5,在第二凹槽内设置导电片,所述导电片的与导电连接层相背的一侧具有容纳焊料凸点的凹口;

S6,通过热压键合法将芯片的导电片和基板的金属凸层进行键合连接;

所述步骤S5包括如下步骤:

S5.1a,在光刻胶层II上刻蚀与焊料垫片的尺寸相一致的垫片放置槽,所述垫片放置槽长度方向上的尺寸大于第二凹槽的长度,或者垫片放置槽宽度方向上的尺寸大于第二凹槽的宽度;

S5.1b,提供焊料垫片,将焊料垫片放置在垫片放置槽中,以使焊料垫片的至少两个相对的侧边搭接在垫片放置槽所在的光刻胶层II上;

S5.2,将导电片放置在焊料垫片上,且导电片位于第二凹槽的正上方,下压导电片使得焊料垫片弯折以定位并夹固导电片;

S5.3,对焊料垫片进行加热,使得焊料垫片熔融为焊料并回流至第二凹槽的底部,进而将导电片和导电连接层焊接固定。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的封装方法,其特征在于,所述焊料垫片的长度小于第二凹槽的长度且焊料垫片的宽度大于第二凹槽的宽度,或者焊料垫片的长度大于第二凹槽的长度且焊料垫片的宽度小于第二凹槽的宽度。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的封装方法,其特征在于,所述焊料垫片的厚度不大于第二凹槽的深度的1/3。

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