[发明专利]一种锑基半导体单晶的制备方法在审
| 申请号： | 202210672023.1 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115287763A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘节华;黄文君;魏香凤 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/10;C30B7/14 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制备 方法 | ||
1.一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，使用五氧化二锑乳液作为锑源代替锑盐，通过溶剂热法制备高质量和低界面缺陷的一维锑基半导体单晶材料，包括以下步骤：
（1）将五氧化二锑乳液、硫源或硒源，和Ag盐或Cu盐按照一定比例溶于或部分溶于水中，得到前驱体混合液；
（2）将前驱体混合液转移至高温高压反应釜，在水热反应一段时间后，即可得到一维锑基半导体单晶。
2.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，一维锑基半导体单晶材料为Sb2S3、Sb2Se3、AgSbS2、AgSbSe2、CuSbS2、或CuSbSe2。
3.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1中五氧化二锑乳液溶度为0.01-60 wt%。
4.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1中硫源为硫脲和单质硫的一种或两种；硒源为硒脲和单质硒的一种或两种。
5.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1中Ag盐为硝酸银、柠檬酸银的一种或两种；Cu盐为乙酸铜、硝酸铜、氯化铜的一种或多种。
6.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1中五氧化二锑：（硫源或硒源）：（Ag盐或Cu盐）的摩尔比例为1：（1-10）：（0-6）。
7.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤2中水热反应温度为60-350℃。
8.如权利要求1所述的一种锑基半导体单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的水热反应时间为0.1-72小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学，未经合肥工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210672023.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
