[发明专利]半导体存储器件与半导体存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：

基板；

多个存储单元晶体管，垂直堆叠在所述基板上，所述存储单元晶体管包括栅极、源极和漏极；

多条第一导线，所述第一导线与所述多个存储单元晶体管中的所述源极连接；

多条第二导线，所述第二导线与所述多个存储单元晶体管中的所述栅极连接；

多个数据存储元件，与所述多个存储单元晶体管中的所述漏极一一对应连接；

其中，所述多条第一导线与所述多条第二导线中的一者，在平行于所述基板的顶表面的第一方向上延伸，且在垂直于所述基板的顶表面的第二方向上堆叠在所述基板上，并在远离所述基板的方向上延伸长度依次减小且电阻相同；所述多条第一导线与所述多条第二导线中的另一者在所述第二方向上垂直地延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，沿所述第二方向上堆叠在所述基板上的所述多条第一导线或所述多条第二导线的掺杂浓度不同。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，沿所述第二方向上堆叠在所述基板上的所述多条第一导线或所述多条第二导线中，任意两条导线的掺杂浓度比为：

其中，N_A为两条导线中较短导线的掺杂浓度，N_B为两条导线中较长导线的掺杂浓度，K为两条导线中较短导线的长度值，b为两条导线的长度差值。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，沿所述第二方向上堆叠在所述基板上的所述多条第一导线或所述多条第二导线掺杂前的基材相同，且垂直于延伸方向的横截面的面积相同。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，沿所述第二方向上堆叠在所述基板上的所述多条第一导线或所述多条第二导线的掺杂元素相同。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其特征在于，所述掺杂元素包括磷和砷中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，沿所述第二方向上堆叠在所述基板上的所述多条第一导线或所述多条第二导线中，至少部分连续相邻的两条导线的长度差相同。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其特征在于，沿所述第二方向上堆叠在所述基板上的所述多条第一导线或所述多条第二导线中，任意相邻两条导线的长度差相同。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述半导体存储器件还包括：

多个绝缘层，与沿所述第二方向上堆叠在所述基板上的所述多条第一导线或所述多条第二导线交替设置，相邻两个导线中的下层导线的引出端比上层导线的引出端侧向延伸得更远，所述多条第一导线或所述多条第二导线的引出端形成阶梯结构。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其特征在于，沿所述第二方向上堆叠在所述基板上的所述多条第一导线或所述多条第二导线连接存储单元晶体管的连接端平齐。

11.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其特征在于，所述绝缘层与其表面上导线的端部平齐。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述存储单元晶体管还包括：

半导体图案，包括第一掺杂区、第二掺杂区及位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的沟道区，所述第一掺杂区形成所述源极，所述第二掺杂区形成所述漏极；

栅绝缘层，位于所述栅极与所述沟道区之间。