[发明专利]一种相变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210638962.4 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115000121A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 杨红心;周凌珺;李沙沙;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种相变存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
形成选通层以及与所述选通层串联的相变存储层；
所述选通层包括第一子层和第二子层；其中，所述第一子层的元素选自第一类元素集中至少一种选通层元素，所述第二子层的元素选自第二类元素集中至少一种选通层元素；所述第一类元素集中各个选通层元素的迁移率小于所述第二类元素集中各个选通层元素的迁移率。
2.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，
所述第一子层的层数大于所述第二子层的层数；所述第二子层位于相邻两个所述第一子层之间。
3.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，
所述选通层还包括第三子层；其中，所述第三子层的元素选自第三类元素集中至少一种选通层元素；所述第一类元素集中各个选通层元素的迁移率和所述第三类元素集中各个选通层元素的迁移率均小于所述第二类元素集中各个选通层元素的迁移率。
4.根据权利要求3所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，
所述第二子层位于所述第一子层和所述第三子层之间。
5.根据权利要求1所述的相变存储器的制备方法，其特征在于，
所述选通层元素包括锗Ge、锑Sb、硅Si、硒Se、砷As、碲Te。
6.一种相变存储器，其特征在于，所述相变存储器包括：选通层以及与所述选通层串联的相变存储层；
所述选通层包括第一子层和第二子层；所述第一子层中各个元素的迁移率小于所述第二子层中各个元素的迁移率。
7.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，
所述第一子层和所述第二子层交替层叠设置。
8.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，
所述选通层还包括第三子层；所述第三子层中各个元素的迁移率小于所述第二子层中各个元素的迁移率；所述第二子层位于所述第一子层和所述第三子层之间。
9.根据权利要求8所述的相变存储器，其特征在于，
所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层交替层叠设置。
10.根据权利要求6所述的相变存储器，其特征在于，
所述第一子层的材料包括锗Ge、锑Sb、硅Si中的至少一种元素；
所述第二子层的材料包括硒Se、砷As、碲Te中的至少一种元素。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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