[发明专利]半导体器件及其测试方法和制备方法以及存储系统

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其测试方法和制备方法以及存储系统，其中，半导体器件至少包括第一半导体结构和第二半导体结构，其中，第一半导体结构和第二半导体结构之间具有键合界面，半导体器件还包括多条链结构，多条链结构至少包括第一链结构和第二链结构，第一链结构和第二链结构各独立设置于第一半导体结构和第二半导体结构内，且各穿过键合界面，本发明通过在半导体器件中设置穿过键合界面且相互独立的第一链结构和第二链结构，可以检测出半导体器件的键合界面是否有断路以及是否有短路的情况，提高了对半导体器件进行电学测量的全面性。

技术领域

本发明总体上涉及半导体技术领域，具体的，涉及一种半导体器件及其测试方法和制备方法以及存储系统。

背景技术

通常，在将3D NAND闪存存储器(3D NAND Flash)出厂前，会先对其进行一系列的电学测量，以保证存储器工作时的可靠性，基于此，如何提高对存储器进行电学测量的全面性，是目前需要解决的问题。

发明内容

为了解决上述问题或其他问题，本发明提供了以下技术方案。

第一方面，本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件至少包括第一半导体结构和第二半导体结构，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间具有键合界面，所述半导体器件还包括：

多条链结构，所述多条链结构至少包括第一链结构和第二链结构，所述第一链结构和所述第二链结构各独立设置于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构内，且各穿过所述键合界面。

根据本发明一实施例的半导体器件，所述第一链结构和所述第二链结构各具有第一端和第二端，其中：

各所述第一端与对应的第一焊盘耦接，各所述第二端与对应的第二焊盘耦接，所述第一端和所述第二端的其中之一被配置为通过所述第一焊盘或所述第二焊盘而被施加测试电压，所述第一端和所述第二端的其中另一被配置为通过所述第一焊盘或所述第二焊盘而供检测所述测试电压。

根据本发明一实施例的半导体器件，所述半导体器件具有边缘，所述第一链结构和所述第二链结构靠近所述边缘设置。

根据本发明一实施例的半导体器件，所述第一链结构环绕所述第二链结构设置。

根据本发明一实施例的半导体器件，所述第一链结构和所述第二链结构各包括：

间隔设置于所述第一半导体结构中的多个第一连接结构和多个第一键合结构，其中，所述第一连接结构连接相邻的所述第一键合结构；以及，

间隔设置于所述第二半导体结构中的多个第二连接结构和多个第二键合结构，其中，所述第二连接结构连接相邻的所述第二键合结构，且所述多个第一键合结构和所述多个第二键合结构在所述键合界面键合连接。

根据本发明一实施例的半导体器件，所述半导体器件具有边缘，所述边缘包括多个侧边，邻近同一所述侧边的所述第一连接结构和所述第二连接结构分别具有第一延伸方向和第二延伸方向，所述第一延伸方向与所述第二延伸方向之间具有夹角。

根据本发明一实施例的半导体器件，相邻两个所述第一连接结构交替位于所述第一链结构和所述第二链结构中，相邻两个所述第二连接结构交替位于所述第一链结构和所述第二链结构中，且所述第一链结构与所述第二链结构在所述半导体器件的厚度方向上交互错位地位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中，而使所述第一链结构在平行于所述键合界面的方向上与所述第二链结构交错延伸。

根据本发明一实施例的半导体器件，所述半导体器件具有边缘，所述边缘包括多个侧边，邻近同一所述侧边的所述第一连接结构和所述第二连接结构沿同一方向延伸。