[发明专利]汽化系统以及半导体工艺设备在审

专利信息
申请号: 202210442025.1 申请日: 2022-04-25
公开(公告)号: CN114743900A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 闫志顺;李建国;王旸;李苗苗 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/316
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;王婷
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 汽化 系统 以及 半导体 工艺设备
【权利要求书】:

1.一种汽化系统,用于向半导体工艺设备的工艺腔室输送蒸汽,其特征在于,包括:射流混合器、混合加热器、工艺液源和多条管路;其中,

所述工艺液源用于存储并输出工艺液体;

所述管路包括进气管路、进液管路和出气管路;

所述射流混合器的第一进口通过所述进气管路与气源连通,所述射流混合器的第二进口通过所述进液管路与所述工艺液源连通,所述射流混合器用于将由所述气源输入的携带气体与由所述工艺液源输入的所述工艺液体混合并形成雾态混合物,

所述混合加热器的进口与所述射流混合器的出口连通,所述混合加热器用于对所述雾态混合物进行加热,以使所述雾态混合物气化成所述蒸汽,所述混合加热器的出口通过所述出气管路与所述工艺腔室连通。

2.根据权利要求1所述的汽化系统,其特征在于,所述进气管路上设置有气体流量控制器,用于控制所述进气管路中的所述携带气体输送向所述射流混合器的气体流量;

所述进液管路上设置有液体流量控制器,用于控制所述进液管路中的所述工艺液体输送向所述射流混合器的液体流量。

3.根据权利要求2所述的汽化系统,其特征在于,所述进气管路上还设置有第一通断阀和第一止回阀,所述第一通断阀位于所述气体流量控制器的上游,用于控制所述进气管路的通断,所述第一止回阀位于所述气体流量控制器的下游,用于防止所述射流混合器中的所述雾态混合物倒灌至所述进气管路中;

所述进液管路上还设置有第二通断阀;所述第二通断阀位于所述液体流量控制器的上游,用于控制所述进液管路的通断。

4.根据权利要求1所述的汽化系统,其特征在于,所述出气管路上设置有高温流量控制器,用于控制输送向所述工艺腔室的所述蒸汽的流量。

5.根据权利要求4所述的汽化系统,其特征在于,所述汽化系统还包括保温单元,所述保温单元设置于所述出气管路和所述高温流量控制器上,用于对所述出气管路和所述高温流量控制器进行加热。

6.根据权利要求1所述的汽化系统,其特征在于,所述工艺液源包括液源瓶和预加热器;其中,所述液源瓶用于盛装所述工艺液体;

所述预加热器用于加热所述液源瓶,以使所述液源瓶内的所述工艺液体保持预设温度。

7.根据权利要求6所述的汽化系统,其特征在于,所述管路还包括增压管路,所述增压管路的进气端与所述气源连通;所述增压管路的出气端与所述液源瓶连通,所述进液管路的入口端与所述液源瓶连通,且所述增压管路的出气端高于所述进液管路的入口端;

所述增压管路上设置有第三通断阀和第二止回阀;所述第三通断阀用于控制所述增压管路的通断;所述第二止回阀位于所述第三通断阀的下游,用于防止所述液源瓶内的气体倒灌至所述增压管路中。

8.根据权利要求7所述的汽化系统,其特征在于,所述工艺液源还包括液位控制器、第一液位传感器、第二液位传感器和补液管路;其中,

所述第一液位传感器和所述第二液位传感器位于所述液源瓶内部,且位于所述增压管路的出气端的位置和所述进液管路的入口端的位置之间,所述第一液位传感器设置的位置高于所述第二液位传感器设置的位置,所述第一液位传感器和所述第二液位传感器用于监测所述液源瓶内部的液面高度,并将检测到的液面高度值发送至所述液位控制器;

所述补液管路与所述液源瓶连通,用于向所述液源瓶输送所述工艺液体;所述补液管路上设置有第四通断阀,所述第四通断阀用于控制所述补液管路的通断;

所述液位控制器用于根据所述第一液位传感器和所述第二液位传感器发送的所述液面高度值控制所述第四通断阀的闭合或断开。

9.根据权利要求7所述的汽化系统,其特征在于,所述增压管路上还设置有压力检测器,所述压力检测器用于检测所述液源瓶内部的压力;

所述工艺液源还包括与所述液源瓶连通或者与所述增压管路连通的泄压管路,所述泄压管路上设置有第五通断阀,所述第五通断阀用于根据所述压力检测器检测到的压力值控制所述泄压管路的通断。

10.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括工艺腔室以及如权利要求1至9的任一项所述的汽化系统,所述工艺腔室的数量为一个或多个,所述出气管路的数量为一条或多条,一条或多条所述出气管路的出口端与一个或多个所述工艺腔室一一对应连通。

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