[发明专利]半导体结构与用于键合经受测晶圆以及用于测试键合前晶圆的方法

说明书

本发明提供一种用于键合经受测晶圆的方法。该方法包括以下操作。接收具有第一表面的第一晶圆，且第一晶圆包括测试垫片和位于第一晶圆的第一表面的导电垫片，以及测试垫片具有由测试探针引起的凹槽，并且导电垫片电性连接至测试垫片。第一晶圆的第一表面被平坦化。第一混合键合层形成在第一晶圆的第一表面之上。键合第一晶圆和第二晶圆，以连接第一混合键合层和第二晶圆上的第二混合键合层。本发明还提供了一种半导体结构及用于测试键合前晶圆的方法。

技术领域

本发明所揭示内容是关于一种用于键合经受测晶圆的半导体结构与方法；特别是，所述半导体结构包含一测试垫片，用以在和另一晶圆进行混合结合前进行晶圆测试。透过平坦化结构来修复在晶圆测试过程中由测试探针导致的测试垫片的结构缺陷，并因而能够确保晶圆混合键合的品质。

背景技术

在晶圆级测试个别晶粒通常称为针测或分选，这已经是集成电路制造过程不可或缺的一部分。在一些实践中，晶圆探针系统可用于半导体开发和制造过程中的晶圆电气测试。在电气测试期间，来自测量仪器或测试仪的测试信号通过探针或探针卡传输到晶圆上的各个装置，然后从所述装置返回信号。

电气测试的结果主要用于评估原型集成电路的特性、可靠性评估和缺陷分析。此外，在评估装置和工艺时，会对测试元件组(包括晶体管、互连件以及用于集成电路的其他元件装置)进行高精度的测量和评估。

发明内容

本发明在一种例示性的态样中，提出一种用于键合经受测晶圆的方法。上述方法包括以下操作。接收具有第一表面的第一晶圆，且第一晶圆包括位于第一晶圆的第一表面的一测试垫片以及一导电垫片，且测试垫片具有由测试探针导致的一凹槽，且导电垫片电性连接至测试垫片。在以测试探针测试第一晶圆之后，平坦化第一晶圆的第一表面。第一混合键合层形成于第一晶圆的第一表面上。键合第一晶圆与一第二晶圆，以连接第一混合键合层以及第二晶圆上的一第二混合键合层。

本发明在另一种例示性的态样中，提出一种半导体结构。所述半导体结构包括一第一晶圆、一混合键合结构以及一第二晶圆。第一晶圆具有一第一表面。所述第一晶圆包括一第一测试垫片及一导电垫片。第一测试垫片具有由一测试探针导致的一凹槽。导电垫片与位于第一晶圆的第一表面的第一测试垫片齐平且电性连接至测试垫片。混合键合结构形成于第一晶圆的第一表面上。第二晶圆透过混合键合结构键合至第一晶圆的第一表面上。

本发明在又一种例示性的态样中，提供用于测试键合前晶圆的方法。上述方法包括以下操作。接收一第一晶圆。在第一晶圆的第一表面形成一测试垫片以及一导电垫片，其中测试垫片与导电垫片的上表面和第一晶圆的第一表面齐平，且导电垫片电性连接至测试垫片。借由使测试探针接触测试垫片，以对第一晶圆进行电气测试。借由坦化第一晶圆的第一表面，以薄化第一晶圆上的测试垫片。

附图说明

在阅读了下文实施方式以及附随图式时，能够最佳地理解本发明所揭示内容的多种态样。应注意到，根据本领域的标准作业习惯，图中的各种特征并未依比例绘制。事实上，为了能够清楚地进行描述，可能会刻意地放大或缩小一些特征的尺寸。

图1绘示根据本发明所揭示内容的一些比较例的一受测晶圆的剖面图。

图2绘示根据本发明所揭示内容的一些实施例，用于键合经受测晶圆的方法的流程图。

图3A至图3G绘示根据本发明所揭示内容的一些实施例的一晶圆的剖面图。

图4A至图4C绘示根据本发明所揭示内容的一些实施例的一晶圆的剖面图。

图5A至图5C绘示根据本发明所揭示内容的一些实施例的一混合键合晶圆的剖面图。

图6A至图6C绘示根据本发明所揭示内容的一些实施例的一混合键合晶圆的剖面图。

图7绘示根据本发明所揭示内容的一些实施例的一晶圆的上视图。