[发明专利]半导体结构与用于键合经受测晶圆以及用于测试键合前晶圆的方法

权利要求书

1.一种用于键合经受测晶圆的方法，该方法包含：

接收一第一晶圆，其具有一第一表面，其中该第一晶圆包含位于该第一晶圆的该第一表面的一测试垫片以及一导电垫片，且该测试垫片具有由一测试探针所导致的一凹槽，且该导电垫片电性连接至该测试垫片；

平坦化该第一晶圆的该第一表面；

于该第一晶圆的该第一表面上形成一第一混合键合层；以及

键合该第一晶圆及一第二晶圆，以连接该第一混合键合层及该第二晶圆上的一第二混合键合层。

2.如权利要求1所述的方法，其中平坦化该第一晶圆的该第一表面包含：

减少该测试垫片的该凹槽，其中该凹槽是在以该测试探针测试该第一晶圆之后形成。

3.如权利要求2所述的方法，其中该凹槽的一深度介于约0.1微米至约0.3微米。

4.如权利要求1所述的方法，其中平坦化该第一晶圆的该第一表面包含：

于该第一晶圆的该第一表面上形成一绝缘层。

5.如权利要求4所述的方法，更包含：

在形成该第一混合键合层之前，于该绝缘层上形成一导电图样层。

6.如权利要求1所述的方法，其中该第一晶圆包含一存储器结构，且该第二晶圆包含一逻辑结构。

7.一种半导体结构，包含：

一第一晶圆，其具有一第一表面，包含：

一第一测试垫片，其具有由一测试探针所导致的一凹槽；以及

一导电垫片，与位于该第一晶圆的该第一表面的该第一测试垫片齐平，且电性连接至该第一测试垫片；

一混合键合结构，位于该第一晶圆的该第一表面上方；以及

一第二晶圆，透过该混合键合结构键合至该第一晶圆的该第一表面上方。

8.如权利要求7所述的半导体结构，更包含：

一平坦化结构，介于该第一晶圆的该第一表面与该混合键合结构之间，该平坦化结构包含：

一绝缘层，位于该第一晶圆的该第一表面上，其中该第一测试垫片完全被该绝缘层覆盖；以及

一导电通路，贯穿该绝缘层，且该导电通路与该导电垫片相接触。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该凹槽是形成于该第一测试垫片的一上表面，且该凹槽经该绝缘层的一绝缘材料所填满。

10.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第二晶圆包含：

一贯穿硅通路，其电性连接该混合键合结构以及位于该第二晶圆的一第二表面一第二测试垫片，其中该第二表面远离该混合键合结构。

11.如权利要求7所述的半导体结构，其中于一剖面视角，该第一测试垫片的一宽度大于该导电垫片的一宽度。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该第一测试垫片的该宽度介于约20微米至约60微米。

13.如权利要求9所述的半导体结构，其中位于该第一测试垫片的该上表面的该凹槽的一深度小于约0.3微米。

14.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第一测试垫片的该上表面不和该混合键合结构的任何导电元件接触。

15.如权利要求8所述的半导体结构，其中该平坦化结构更包含：

一导电图样层，位于该绝缘层上，其中该导电图样层包含电性连接该导电通路与该混合键合结构的一导线图样。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其中该导电图样层更包含投射于该第一测试垫片上的一虚设图样，且该虚设图样填充该绝缘层的一凹槽。