[发明专利]一种半导体的封装方法及封装结构

说明书

本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种半导体的封装方法及封装结构。包括以下步骤：在基底上开设若干盲孔和若干通孔；在基底底面贴装若干无源器件和若干第二芯片；在基底顶面上贴装若干第一芯片、SAW滤波器和若干无源器件，在每个SAW滤波器下方都安装一个IDT功能区域；在顶面上方包裹一层光敏感材料膜，使每个SAW滤波器底部形成空腔结构；去除顶面通孔上的光敏感材料膜使通孔重新外露；采用塑封工艺处理基底，塑封完成后，去除固定盖，转序切割成单颗产品；在每个单颗产品的顶面进行金属镀膜形成金属镀层。本发明通过在基底顶面的塑封体表面进行金属镀层工艺，可屏蔽不同频段电磁波之间的相互干扰，提高工作稳定性。

技术领域

本发明属于半导体器件-功率放大器制造技术领域，具体涉及一种半导体的封装方法及封装结构。

背景技术

功率放大器(Power Amplifier，简称PA)是一部手机最关键的器件之一，它直接决定了手机无线通信的距离、信号质量，甚至待机时间，是整个射频系统中除基带外最重要的部分。手机里面功率放大器的数量随着2G、3G、4G、5G逐渐增加，所需的功率放大器芯片越来越多。尤其随着5G通信技术的快速发展，人们对小型化、集成的功率放大器需求也越来越高；在射频方面，因为5G专注于高速连接，需要兼容支持更多的频段。

而现有技术中，最常见的是将芯片与无源器件(电感、电容等)固定在封装基底上，通过键合RDL(Re-distributed layer)走线实现电学连接。然而仅靠在基底一侧贴装芯片及元器件的封装方式集成度低，整体模块封装尺寸大，无法满足芯片小型化需求。或者，采用常规的双面封装工艺，可增加芯片的使用空间，但塑封工艺的复杂程度及塑封模具的投资成本就会成倍增加。或者，将滤波器额外封装成独立器件后再与PA芯片相连，亦会导致加工成本高且封装工艺繁琐。或者，将无源被动器件集成于有机衬底上，会产生材料间热膨胀系数的不匹配而加速产品性能的失效。另外，由于声表面滤波器(surface acoustic wavefilter，SAW Filter)的机械结构非常脆弱，且叉指换能器(interdigital transducer，IDT)功能区域非常敏感，静电、灰尘和湿气接触都会损坏芯片性能，常规的将滤波器与无源器件集成的方式并不适用于声表面滤波器。同时，多种PA芯片集成于一封装体，其不同频段信号之间的相互干扰，也会降低信号的传输性能。

发明内容

本发明目的在于提供一种半导体的封装方法及封装结构，用来搭载多个不同滤波器件，且能够直接贴装更多的电容电感，使得模组封装尺寸可以变得更小，同时满足保证信号强度，提高声表面滤波器的耐用度。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案予以实现：

第一方面，一种半导体的封装方法，包括以下步骤：

在基底上开设若干盲孔和若干通孔；

在基底底面贴装若干无源器件和若干第二芯片；

在基底顶面上贴装若干第一芯片、SAW滤波器和若干无源器件，在每个SAW滤波器下方都设置有IDT功能区域；

在基底顶面上方包裹一层光敏感材料膜，使每个SAW滤波器底部形成空腔结构；

去除顶面通孔上的光敏感材料膜使通孔重新外露；

采用塑封工艺处理基底，塑封完成后，转序切割成单颗产品；

在每个单颗产品的顶面进行金属镀膜形成金属镀层。

本发明的进一步改进在于：所述盲孔设置在基底的顶面和底面用于放置第一芯片、第二芯片或SAW滤波器，所述通孔设置在基底的两侧边缘位置，用于在塑封工艺处理基底时，使塑封料溢流在基底两侧。

本发明的进一步改进在于：所述固定盖为U形，底面水平，两侧宽度与基底相同。

本发明的进一步改进在于：所述光敏感材料膜采用真空层压覆膜工艺安装。