[发明专利]一种半导体的封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种半导体的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基底(5)上开设若干盲孔(8)和若干通孔(3)；

在基底(5)底面贴装若干无源器件(4)和若干第二芯片(15)；

在基底(5)顶面上贴装若干第一芯片(1)、SAW滤波器(2)和若干无源器件(4)，在每个SAW滤波器(2)下方设置有IDT功能区域(6)；

在基底(5)顶面上方包裹一层光敏感材料膜(7)，使每个SAW滤波器(2)底部形成空腔(9)结构；

去除顶面通孔(3)上的光敏感材料膜(7)使通孔(3)重新外露；

采用塑封工艺处理基底(5)，塑封完成后，转序切割成单颗产品；

在每个单颗产品的顶面进行金属镀膜形成金属镀层(12)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，在基底(5)顶面上贴装元器件时，先在基底(5)底面下方安装一个固定盖(14)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述盲孔(8)设置在基底(5)的顶面和底面用于放置第一芯片(1)、第二芯片(15)或SAW滤波器(2)，所述通孔(3)设置在基底(5)的两侧边缘位置，用于在塑封工艺处理基底(5)时，使塑封料(13)溢流在基底(5)两侧。

4.根据权利要求2所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述固定盖(14)为U形，底面水平，两侧宽度与基底(5)相同。

5.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述光敏感材料膜(7)采用真空层压覆膜工艺安装。

6.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述光敏感材料膜(7)由聚酰亚胺制成。

7.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，在单颗产品的顶面进行金属镀膜时采用PVD金属镀膜工艺。

8.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述金属镀层(12)为不锈钢、铝或铜。

9.根据权利要求1所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，所述基底(5)由低温共烧陶瓷工艺制成。

10.一种半导体的封装结构，基于权利要求1-9任一项所述的一种半导体的封装方法，其特征在于，包括基底(5)，所述基底(5)两侧设有若干通孔(3)，所述基底(5)顶面和底面设有若干盲孔(8)，所述基底(5)底面设有若干第二芯片(15)和无源器件(4)，所述基底(5)顶面设有若干第一芯片(1)、无源器件(4)和SAW滤波器(2)，每个SAW滤波器(2)下方均设有IDT功能区域(6)；所述顶面上方包裹一层光敏感材料膜(7)，所述每个IDT功能区域(6)下方都设有空腔(9)，所述基底(5)包裹在塑封料(13)中，所述基底(5)顶面上方设有金属镀层(12)。