[发明专利]一种含射频芯片的集成电路封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202210404034.1 | 申请日: | 2022-04-18 |
公开(公告)号: | CN114709194A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 崔成强;杨斌;刘宇;华显刚;林挺宇 | 申请(专利权)人: | 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 | 代理人: | 刘莉梅 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 芯片 集成电路 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种含射频芯片的集成电路封装结构的制备方法,包括:提供基板,在基板上制作线路结构,线路结构具有第一区域和第二区域;在第一区域四周制作围墙式屏蔽壁,在第二区域四周制作若干间隔设置的导电柱;提供至少一第一芯片和若干第二芯片,第一芯片为射频芯片,将其贴于第一区域,将第二芯片贴于第二区域;对第一芯片、第二芯片、屏蔽壁及导电柱塑封,形成第一塑封层;在第一塑封层上制作金属层,对该金属层图形化处理,形成与屏蔽壁上端连接并覆盖安装槽的屏蔽盖以及与铜柱上端连接的第三线路层,屏蔽壁和屏蔽盖组成屏蔽罩;提供若干第三芯片,将其贴于第三线路层上并电性引出。本发明在制备线路时同步制得屏蔽罩,简化了工艺与结构。
技术领域
本发明涉及先进电子封装技术领域,具体涉及一种含射频芯片的集成电路封装结构的制备方法及采用该制备方法制得的含射频芯片的集成电路封装结构。
背景技术
近年来,随着电子产品小型化发展的要求,封装技术不断革新,智能模组技术迅速发展。由于电子元件分布密度高,电子元件之间的线路短,同时电子元件需在很高的工作频率下工作,使来自电子产品外部或内部的电子元件之间的电磁干扰情形日益严重。为了防止电磁波的相互干扰,各种防电磁波干扰的方案应运而生。
传统的电磁屏蔽结构主要有两种:一种是单独的一个无线或射频模块上面加金属盖,其缺点是集成度低,体积大;另一种现有的电磁屏蔽封装模组结构,其主要工艺是包封之后在封装体上开槽、填充金属、并且以金属溅镀、喷涂或其他镀膜方式在封胶体的表面形成一电磁屏蔽层。采用这种方式的缺点在于,封装时采用混掺70-75%金属材料的环氧树脂(epoxy)填充塑封体开槽部分,然而高含量的金属难以均匀地分布于环氧树脂内,而易于沉积在封装层底部,形成金属聚集区与环氧树脂区的分层结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种含射频芯片的集成电路封装结构的制备方法,可以在制备线路的时候同步制得用以屏蔽射频芯片的电磁效应的屏蔽罩集成电路封装结构,简化工艺与结构,降低串扰及生产成本。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一方面,提供一种含射频芯片的集成电路封装结构的制备方法,包括以下步骤:
S10、提供贴有临时键合胶的基板,在所述基板上制作线路结构,所述线路结构具有第一区域和第二区域;
其中,该基板可以为FR-4基板,尺寸不限,形状以方形为宜;
S20、在所述第一区域四周制作围墙式屏蔽壁并使若干所述屏蔽壁围成一安装槽,以及在所述第二区域四周制作若干间隔设置的导电柱;
其中,屏蔽壁和导电柱同步制作;
S30、提供至少一个第一芯片和若干第二芯片,所述第一芯片为射频芯片(RF),将所述第一芯片贴于所述第一区域并位于所述安装槽内,将所述第二芯片贴于所述第二区域;
S40、对所述第一芯片、所述第二芯片、所述屏蔽壁以及所述导电柱进行塑封,形成第一塑封层;
S50、在所述第一塑封层上制作金属层,对该金属层进行图形化处理,形成与所述屏蔽壁上端连接并覆盖所述安装槽的屏蔽盖以及与所述铜柱上端连接的第三线路层,所述屏蔽壁和所述屏蔽盖组成屏蔽罩;
S60、提供若干第三芯片,将所述第三芯片贴于所述第三线路层上并电性引出。
上述制备方法中,第一芯片、第二芯片通过回流焊固定于线路结构的上方,实现电气连接;第三芯片通过回流焊固定于第三线路层的上方,实现电气连接。其中,回流焊的具体工艺参数为本领域常规技术手段,具体不再赘述。
本发明针对射频芯片在集成电路中的串扰和复杂的封装方法的问题,将线路与屏蔽罩共同制作,简化工艺与结构,降低串扰、降低成本。
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