[发明专利]扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法

说明书

本发明的实施例提供了一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，通过在第一载片上设置第一芯片，在第二载片上设置第二芯片，第一载片和第二载片相互贴合，从而实现了双面封装。并且，通过第一载片和第二载片的双面封装结构，能够实现良好的支撑性，并且第一塑封体和第二塑封体分别制作，能够解决应力分散问题，进一步减缓塑封翘曲问题。此外，通过在第一天线凹槽内的第二载片上设置第一天线结构，使得第一天线结构能够通过第一天线凹槽直接外露，保证了天线性能，并且第一天线结构直接设置在第二载片上，结构简单，避免了中间布线影响天线的性能。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，扇出型晶圆级封装(Fan-out wafer levelpackage，FOWLP)封装结构广泛应用于半导体行业中。一般采用从晶圆切下单个芯片，然后到封装一个载体晶圆上，主要优势为高密度集成，封装产品尺寸小，产品性能优越，信号传输频率快等，随着5G/6G通信迅速发展，越来越多的产品设计有射频天线，通常是将天线贴装放置于衬底上以及在介质层上曝光显影形成天线层，通过外置天线作为辐射面，现有的天线层通常设计在外部介质层上，需要进行额外的布线动作，工艺复杂，并且由于介质层的存在，可能会使得天线性能受到影响，因此，如何提高天线封装结构的整合性能，将是这些电子装置所需克服的问题。此外，常规的双面封装结构，由于在单个衬底基板的两侧进行封装，基板支撑性较差，容易造成翘曲问题，进而使得芯片与塑封体之间或者塑封体与基板之间出现分层问题，影响封装结构的稳定性。

发明内容

本发明的目的包括，例如，提供了一种扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法，其能够减缓塑封翘曲问题，并且结构简单，制作方便，能够避免天线性能受到封装结构的影响，提高了天线封装结构的整合性能。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种扇出型双面封装结构，包括：

第一载片；

设置在所述第一载片的一侧表面的第一芯片；

设置在所述第一载片一侧表面，并包覆在所述第一芯片外的第一塑封体；

贴合在所述第一载片另一侧表面的第二载片，且所述第一塑封体和第一载片上设置有贯通至所述第二载片的过渡凹槽；

设置在所述过渡凹槽中的第二塑封体；

贴装在所述第二载片远离所述第一载片一侧表面的第二芯片；

设置在所述第二载片远离所述第一载片一侧表面，并包覆在所述第二芯片外的第三塑封体；

以及，设置在所述第三塑封体远离所述第二载片一侧表面的扇出布线层；

其中，所述第二塑封体上设置有贯通至所述第二载片的第一天线凹槽，所述第一天线凹槽与所述第一芯片间隔设置，且所述第一天线凹槽内的所述第二载片上设置有第一天线结构。

在可选的实施方式中，所述第一载片内设置有第一布线层，所述第二载片内设置有第二布线层，所述第一芯片与所述第一布线层电连接，所述第二芯片与所述第二布线层电连接，所述第一布线层与所述第二布线层电连接，且所述扇出布线层与所述第二布线层电连接。

在可选的实施方式中，所述第三塑封体内设置有第一导电柱，所述第一导电柱的一端延伸至所述第二载片，并与所述第二布线层电连接，所述第一导电柱的另一端延伸至所述扇出布线层，并与所述扇出布线层电连接，以使所述扇出布线层与所述第二布线层电连接。