[发明专利]扇出型双面封装结构和扇出型双面封装结构的制备方法

权利要求书

1.一种扇出型双面封装结构，其特征在于，包括：

第一载片；

设置在所述第一载片的一侧表面的第一芯片；

设置在所述第一载片一侧表面，并包覆在所述第一芯片外的第一塑封体；

贴合在所述第一载片另一侧表面的第二载片，且所述第一塑封体和第一载片上设置有贯通至所述第二载片的过渡凹槽；

设置在所述过渡凹槽中的第二塑封体；

贴装在所述第二载片远离所述第一载片一侧表面的第二芯片；

设置在所述第二载片远离所述第一载片一侧表面，并包覆在所述第二芯片外的第三塑封体；

以及，设置在所述第三塑封体远离所述第二载片一侧表面的扇出布线层；

其中，所述第二塑封体上设置有贯通至所述第二载片的第一天线凹槽，所述第一天线凹槽与所述第一芯片间隔设置，且所述第一天线凹槽内的所述第二载片上设置有第一天线结构。

2.根据权利要求1所述的扇出型双面封装结构，其特征在于，所述第一载片内设置有第一布线层，所述第二载片内设置有第二布线层，所述第一芯片与所述第一布线层电连接，所述第二芯片与所述第二布线层电连接，所述第一布线层与所述第二布线层电连接，且所述扇出布线层与所述第二布线层电连接。

3.根据权利要求2所述的扇出型双面封装结构，其特征在于，所述第三塑封体内设置有第一导电柱，所述第一导电柱的一端延伸至所述第二载片，并与所述第二布线层电连接，所述第一导电柱的另一端延伸至所述扇出布线层，并与所述扇出布线层电连接，以使所述扇出布线层与所述第二布线层电连接。

4.根据权利要求3所述的扇出型双面封装结构，其特征在于，所述扇出布线层包括第一介质层、第二介质层、第一导电层、第二导电层和导电焊球，所述第一介质层设置在所述第三塑封体远离所述第二载片的一侧表面，所述第一导电层设置在所述第一介质层内，并与所述第一导电柱电连接，所述第二导电层设置在所述第一介质层上，所述第二导电层设置在所述第二介质层内，并与所述第一导电层电连接，所述导电焊球设置在所述第二介质层远离所述第二载片的一侧表面，并与所述第二导电层电连接。

5.根据权利要求1所述的扇出型双面封装结构，其特征在于，所述扇出布线层和所述第三塑封体上设置有贯通至所述第二载片的第二天线凹槽，所述第二天线凹槽与相邻的所述第二芯片间隔设置，且所述第二天线凹槽内的所述第二载片上设置有第二天线结构。

6.根据权利要求5所述的扇出型双面封装结构，其特征在于，所述第二天线凹槽与所述第一天线凹槽相对应，且所述第一天线结构为发射天线，所述第二天线结构为反馈天线。

7.根据权利要求5所述的扇出型双面封装结构，其特征在于，所述第二天线凹槽与所述第一天线凹槽相错位，且所述第二天线凹槽与所述第一芯片相对设置，所述第一天线凹槽与所述第二芯片相对设置，所述第一天线结构和所述第二天线结构中的一个为发射天线，另一个为反馈天线。

8.根据权利要求1所述的扇出型双面封装结构，其特征在于，所述第一天线凹槽内还设置有第二导电柱，所述第一天线凹槽内的所述第二载片上还设置有接地焊盘，所述第二导电柱与所述接地焊盘连接，所述第一塑封体上还设置有屏蔽层，所述屏蔽层延伸至所述第一天线凹槽，并与所述第二导电柱连接。

9.根据权利要求8所述的扇出型双面封装结构，其特征在于，所述第二导电柱设置在所述第一天线凹槽内靠近所述第一芯片的一侧，且第二导电柱与所述第一天线凹槽的侧壁之间形成有安装间隙，所述屏蔽层延伸所述安装间隙。

10.一种扇出型双面封装结构的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-9任一项所述的扇出型双面封装结构，所述制备方法包括：

在第一载片的一侧表面贴装第一芯片；

在所述第一载片的一侧表面形成包覆在所述第一芯片外的第一塑封体；

在所述第一载片的另一侧表面贴装第二载片；

在所述第一塑封体和所述第一载片上开槽，以形成贯通至所述第二载片的过渡凹槽；

在所述过渡凹槽内贴装牺牲保护块；

在所述过渡凹槽中形成第二塑封体，所述第二塑封体至少部分包覆所述牺牲保护块；

在所述第二载片远离所述第一载片一侧表面贴装第二芯片；

在所述第二载片远离所述第一载片的一侧表面形成包覆在所述第二芯片外的第三塑封体；

在所述第三塑封体远离所述第二载片的一侧表面形成扇出布线层；

去除所述牺牲保护块，以形成贯通至所述第二载片的第一天线凹槽；

其中，所述第一天线凹槽与所述第一芯片间隔设置，且所述第一天线凹槽内的所述第二载片上设置有第一天线结构。