[发明专利]半导体发光装置封装件

说明书

一种半导体发光装置封装件包括：陶瓷衬底，其具有第一电极结构和第二电极结构；发光二极管芯片，其安装在陶瓷衬底上，电连接至第一电极结构和第二电极结构，并且被配置为发射紫外光；侧壁结构，其设置在陶瓷衬底上，提供包围发光二极管芯片的腔体，并且包括热膨胀系数在2ppm/℃至10ppm/℃的范围内并且杨氏模量在100Gpa至300Gpa的范围内的合金；以及玻璃盖，其设置在侧壁结构上，以密封腔体。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年3月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0041827的优先权的权益，该公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体发光装置封装件。

背景技术

半导体发光装置被称为下一代光源，与传统光源相比，其具有寿命更长、功耗更低、响应速度更快、环境友好等优点。这样的半导体发光装置不仅作为一般照明装置、显示装置、电灯等的光源，而且作为诸如灭菌、促进生长和生物降解等任务的各种功能光源而受到关注。

这种半导体发光装置得益于可靠的封装结构，以提高散热性能和光提取效率。

发明内容

本发明构思的一方面是提供一种具有优秀的散热性能和密封特性的半导体发光装置封装件。

根据本发明构思的一方面，一种半导体发光装置封装件包括：陶瓷衬底，其具有第一电极结构和第二电极结构；发光二极管芯片，其安装在陶瓷衬底上，电连接至第一电极结构和第二电极结构，并且被配置为发射紫外光；侧壁结构，其设置在陶瓷衬底上，提供包围发光二极管芯片的腔体，并且包括热膨胀系数在2ppm/℃至10ppm/℃的范围内并且杨氏模量在100Gpa至300Gpa的范围内的合金；以及玻璃盖，其设置在侧壁结构上以密封腔体。

根据本发明构思的一方面，一种半导体发光装置封装件包括：陶瓷衬底，其具有第一电极结构和第二电极结构；发光二极管芯片，其安装在陶瓷衬底上，电连接至第一电极结构和第二电极结构，并且被配置为发射紫外光；侧壁结构，其设置在陶瓷衬底上，并且提供包围发光二极管芯片的腔体，侧壁结构包括热膨胀系数在2ppm/℃至10ppm/℃的范围内并且杨氏模量在100Gpa至300Gpa的范围内的合金；第一气密密封接合层，其设置在侧壁结构的下表面与陶瓷衬底的上表面之间；玻璃盖，其设置在侧壁结构上，并且包括热膨胀系数在0.5ppm/℃至4ppm/℃的范围内的玻璃材料；以及第二气密密封接合层，其设置在侧壁结构的上表面与玻璃盖之间。

根据本发明构思的一方面，一种半导体发光装置封装件包括：电路板，其具有包括氮化铝的陶瓷体、并且具有第一电极焊盘和第二电极焊盘以及支承焊盘，支承焊盘包围第一电极焊盘和第二电极焊盘，其中，第一电极焊盘和第二电极焊盘以及支承焊盘形成在陶瓷体的上表面上；发光二极管芯片，其安装在电路板上，电连接至第一电极焊盘和第二电极焊盘，并且被配置为发射紫外光；侧壁结构，其设置在电路板上，提供包围发光二极管芯片的腔体，并且包括Fe-Ni合金、Fe-Ni-Co合金和CuW中的任一种；以及玻璃盖，其设置在侧壁结构上以密封腔体，其中，腔体具有由设置在支承焊盘的上表面与侧壁结构的下表面之间的第一气密密封接合层和设置在侧壁结构的上表面与玻璃盖之间的第二气密密封接合层密封的内部空间。

附图说明

从下面结合附图的详细描述中，本发明构思的以上和其它方面、特征和优点将变得更清楚，在附图中：

图1是根据本发明构思的示例实施例的半导体发光装置封装件的平面图；

图2是图1所示的半导体发光装置封装件沿着线I-I'截取的侧剖视图；

图3是图2所示的半导体发光装置封装件的部分区的放大剖视图；

图4是示出可在根据本发明构思的示例实施例的半导体发光装置封装件中采用的紫外LED的剖视图；