[发明专利]半导体发光装置封装件在审
| 申请号： | 202210343389.4 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN115148878A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 李政宪;金炅俊;崔设英 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;肖学蕊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 封装 | ||
1.一种半导体发光装置封装件，包括：
陶瓷衬底，其具有第一电极结构和第二电极结构；
发光二极管芯片，其安装在所述陶瓷衬底上，电连接至所述第一电极结构和所述第二电极结构，并且被配置为发射紫外光；
侧壁结构，其设置在所述陶瓷衬底上，提供包围所述发光二极管芯片的腔体，并且包括热膨胀系数在2ppm/℃至10ppm/℃的范围内并且杨氏模量在100Gpa至300Gpa的范围内的合金；以及
玻璃盖，其设置在所述侧壁结构上以密封所述腔体。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，其中，所述陶瓷衬底包括热导率为100W/m·K或更大的材料。
3.根据权利要求2所述的半导体发光装置封装件，其中，所述陶瓷衬底包括氮化铝。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，其中，所述陶瓷衬底包括在所述陶瓷衬底的上表面上包围所述发光二极管芯片的支承焊盘，并且
所述半导体发光装置封装件还包括设置在所述侧壁结构的下表面与所述支承焊盘之间的气密密封接合层。
5.根据权利要求4所述的半导体发光装置封装件，其中，所述气密密封接合层为硬钎焊接合层、熔焊接合层和软钎焊接合层之一。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，还包括设置在所述侧壁结构的上表面与所述玻璃盖之间的气密密封接合层。
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置封装件，其中，所述气密密封接合层包括焊料或玻璃熔块。
8.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，其中，所述侧壁结构包括Fe-Ni合金、Fe-Ni-Co合金和CuW中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，其中，所述侧壁结构的所述合金的热膨胀系数在2ppm/℃至8ppm/℃的范围内。
10.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，其中，所述侧壁结构的所述合金的杨氏模量在100Gpa至200Gpa的范围内。
11.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，其中，所述侧壁结构包括设置在其内侧壁表面上的反射层。
12.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，其中，所述侧壁结构的上端具有包围所述腔体的台阶结构，并且所述玻璃盖设置在所述台阶结构的台阶上。
13.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，其中，所述玻璃盖的热膨胀系数为4ppm/℃或更小。
14.根据权利要求1所述的半导体发光装置封装件，还包括所述侧壁结构的下表面与所述陶瓷衬底的上表面之间的接合层。
15.一种半导体发光装置封装件，包括：
陶瓷衬底，其具有第一电极结构和第二电极结构；
发光二极管芯片，其安装在所述陶瓷衬底上，电连接至所述第一电极结构和所述第二电极结构，并且被配置为发射紫外光；
侧壁结构，其设置在所述陶瓷衬底上，并且提供包围所述发光二极管芯片的腔体，所述侧壁结构包括热膨胀系数在2ppm/℃至10ppm/℃的范围内并且杨氏模量在100Gpa至300Gpa的范围内的合金；
第一气密密封接合层，其设置在所述侧壁结构的下表面与所述陶瓷衬底的上表面之间；
玻璃盖，其设置在所述侧壁结构上，并且包括热膨胀系数在0.5ppm/℃至4ppm/℃的范围内的玻璃材料；以及
第二气密密封接合层，其设置在所述侧壁结构的上表面与所述玻璃盖之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210343389.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
