[发明专利]堆叠半导体芯片及其制备方法、混合材料、电子设备

权利要求书

1.一种堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供至少两层晶圆；其中，至少一层所述晶圆上具有贯通孔；

将所述至少两层晶圆设置于网格上；

将流体介质和导电颗粒注入所述贯通孔中，以通过所述流体介质的重力作用压实所述导电颗粒；其中，所述导电颗粒留置于所述贯通孔内团聚形成导体，所述流体介质自所述网格流出。

2.根据权利要求1所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述将流体介质和导电颗粒注入所述贯通孔中的步骤，包括：

将流体介质和导电颗粒的混合材料注入所述贯通孔中。

3.根据权利要求1所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述导电颗粒包括石墨烯和/或碳纳米管；所述石墨烯和/或碳纳米管的颗粒大小为20nm～200um。

4.根据权利要求2所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述将流体介质和导电颗粒的混合材料注入所述贯通孔中的步骤之前，包括：

按预设比例将所述流体介质与所述石墨烯和/或碳纳米管混合，进而得到所述混合材料。

5.根据权利要求2所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述导电颗粒进一步包括团聚体；

所述将流体介质和导电颗粒的混合材料注入所述贯通孔中的步骤，包括：

按照预设比例将所述流体介质、所述石墨烯和/或碳纳米管以及所述团聚体混合，进而得到所述混合材料。

6.根据权利要求5所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述流体介质、所述石墨烯和/或碳纳米管以及所述团聚体的比例为(4.0～5.5)：(1.5～3.5)：1。

7.根据权利要求2～6任一项所述的堆叠半导体芯片的制备方法，其特征在于，所述将流体介质和导电颗粒的混合材料注入所述贯通孔中的步骤之后，还包括：

采用清洗试剂清洗所述贯通孔内的流体介质，并返回执行所述将流体介质和导电颗粒的混合材料注入所述贯通孔中，直至形成所述导体。

8.一种堆叠半导体芯片，其特征在于，包括：

层叠设置的至少两层晶粒；所述至少两层晶粒中的至少一层所述晶粒具有贯通孔；其中，所述晶粒由晶圆切割得到；

若干导电颗粒，置于所述贯通孔内并团聚成导体，以将所述至少两层晶粒电连通；其中，所述导电颗粒与流体介质形成混合材料，所述混合材料注入所述贯通孔，在所述至少两层晶圆下方的网格的作用下，将所述导电颗粒留置于所述贯通孔内，而将所述流体介质流出。

9.根据权利要求8所述的堆叠半导体芯片，其特征在于，所述导电颗粒的粒径大小为20nm～1mm；和/或

所述导电颗粒的密度为6.5～8.5g/cm³。

10.一种混合材料，其特征在于，所述混合材料主要由流体介质、导电颗粒组成，其中，所述混合材料注入所述贯通孔，在所述至少两层晶圆下方的网格的作用下，将所述导电颗粒留置于所述贯通孔内形成所述导体，而将所述流体介质流出。

11.根据权利要求10所述的混合材料，其特征在于，所述导电颗粒包括石墨烯和/或碳纳米管以及团聚体。

12.一种电子设备，其特征在于，包括堆叠半导体芯片，所述堆叠半导体芯片通过上述权利要求1～7任一项所述的方法制备而成。