[发明专利]半导体装置

说明书

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一装置区和第二装置区。第一装置区包括从基板延伸的第一源极/漏极区以及第一及第二对间隔物。第一源极/漏极区延伸于第一对间隔物及第二对间隔物之间。第一对间隔物及第二对间隔物具有第一高度。第二装置区包括从基板延伸的第二及第三源极/漏极区以及第三及第四对间隔物。第三源极/漏极区与第二源极/漏极区间隔开。第二源极/漏极区延伸于第三对间隔物之间。第三源极/漏极区延伸于第四对间隔物之间。第三对间隔物及第四对间隔物具有大于第一高度的第二高度。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置及其形成方法，尤其涉及一种具有源极/漏极结构的半导体装置形成方法。

背景技术

半导体装置用于各式各样的电子应用中，例如个人电脑、手机、数字相机与其他电子装置。半导体装置的制造一般是通过于半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体层的材料，并使用光刻图案化各种材料层以于其上形成电路组件与元件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来持续提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，允许了将更多的元件整合至给定区域中。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置，包括：第一装置区，包括：第一源极/漏极区，从基板延伸；第一对间隔物；第二对间隔物，第一源极/漏极区延伸于第一对间隔物及第二对间隔物之间，第一对间隔物及第二对间隔物具有第一高度；及第二装置区，包括：第二源极/漏极区，从基板延伸；第三源极/漏极区，从基板延伸，第三源极/漏极区与第二源极/漏极区间隔开；第三对间隔物，第二源极/漏极区延伸于第三对间隔物之间；及第四对间隔物，第三源极/漏极区延伸于第四对间隔物之间，第三对间隔物及第四对间隔物具有第二高度，第二高度大于第一高度。

本发明实施例提供一种半导体装置，包括：第一半导体鳍片，从基板延伸；第一源极/漏极区，从第一半导体鳍片延伸；第二半导体鳍片，从基板延伸；第二源极/漏极区，从第二半导体鳍片延伸，第二源极/漏极区与第一源极/漏极区间隔开；第一对间隔物及第二对间隔物，第一对间隔物覆盖第一源极/漏极区的多个底部的侧壁，第二对间隔物覆盖第二源极/漏极区的多个底部的侧壁，第一对间隔物及第二对间隔物具有第一高度；第三半导体鳍片及第四半导体鳍片，从基板延伸；第三源极/漏极区，从第三半导体鳍片延伸至第四半导体鳍片；及第三对间隔物及第四对间隔物，第三对间隔物覆盖第三源极/漏极区的第一底部的侧壁，第四对间隔物覆盖第三源极/漏极区的第二底部的侧壁，第三对间隔物及第四对间隔物具有第二高度，第二高度小于第一高度。

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成间隔层于第一对半导体鳍片及第二对半导体鳍片上方；蚀刻间隔层的第一部分，以沿着第一对半导体鳍片的侧壁形成多个第一间隔物，多个所述第一间隔物具有第一高度；凹蚀第一对半导体鳍片，以形成第一凹槽及第二凹槽；蚀刻间隔层的第二部分，以沿着第二对半导体鳍片的侧壁形成多个第二间隔物，多个所述第二间隔物具有大于第一高度的第二高度；凹蚀第二对半导体鳍片，以形成第三凹槽及第四凹槽；及外延成长第一源极/漏极区于第一凹槽及第二凹槽中、第二源极/漏极区于第三凹槽中、以及第三源极/漏极区于第四凹槽中，其中第二源极/漏极区与第三源极/漏极区间隔开。

附图说明

本公开从以下详细描述中配合附图可最好地被理解。应强调的是，依据业界的标准做法，各种部件并未按照比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了清楚讨论，各种部件的尺寸可任意放大或缩小。

图1为根据一些实施例，以三维视图示出FinFET的示例。