[发明专利]半导体结构

说明书

本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括基板，其具有分别为第一与第二导电型态的第一与第二井区。第一与第二井区在俯视图中沿着第一方向纵向延伸，第一与第二井区各自包括沿着垂直于第一方向的第二方向凸起的凸起部分与沿着第二方向凹陷的凹陷部分。第一井区的凸起部分嵌入第二井区的凹陷部分，反之亦然。第一源极/漏极结构位于第一井区的凸起部分上、第二源极/漏极结构位于第二井区上、第三源极/漏极结构位于第二井区的凸起部分上、以及第四源极/漏极结构位于第一井区上。第一与第二源极/漏极结构为第一导电型态。第三与第四源极/漏极结构为第二导电型态。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构，尤其涉及具有上拉单元与常规单元的半导体结构与布局设计。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位经片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦增加制造与处理集成电路的复杂度。

举例来说，在标准单元设计中，上拉单元(或带状单元)通常用于偏置下方的井区。上拉单元通常与常规单元(如进行逻辑功能的标准单元)以特定比例混合，比如每30微米长度的常规单元搭配一个上拉单元。因此需要更小的上拉单元，以进一步整合更多装置。

发明内容

本发明一实施例关于半导体结构，其包括基板，具有第一导电型态的第一井区与第二导电型态的第二井区，且第一导电型态与第二导电型态相反。第一井区与第二井区在俯视图中沿着第一方向纵向延伸，且第一井区与第二井区的每一者包括沿着第二方向凸起的凸起部分以及沿着第二方向凹陷的凹陷部分，且第二方向垂直于第一方向。第一井区的凸起部分嵌入第二井区的凹陷部分，且第二井区的凸起部分嵌入第一井区的凹陷部分。半导体结构还包含多个第一源极/漏极结构，位于第一井区的凸起部分上；多个第二源极/漏极结构，位于第二井区上，其中第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构为第一导电型态且沿着第一方向大致对准；多个第三源极/漏极结构，位于第二井区的凸起部分上；以及多个第四源极/漏极结构，位于第一井区上，其中第三源极/漏极结构与第四源极/漏极结构为第二导电型态且沿着第一方向大致对准。

本发明另一实施例关于半导体结构。半导体结构包括：基板，具有n型的第一井区与p型的第二井区。第一井区与第二井区在俯视图中沿着第一方向纵向延伸，第一井区与第二井区的每一者包含沿着第二方向凸起的凸起部分与沿着第二方向凹陷的凹陷部分，且第二方向垂直于第一方向。第一井区的凸起部分嵌入第二井区的凹陷部分，且第二井区的凸起部分嵌入第一井区的凹陷部分。半导体结构还包括第一半导体鳍状物，自基板向上延伸并沿着第一方向连续地纵向延伸于第一井区与第二井区的凸起部分上；以及第二半导体鳍状物，自基板向上延伸并沿着第一方向连续地纵向延伸于第二井区与第一井区的凸起部分上。

本发明又一实施例关于集成电路布局，其包括：第一导电型态的第一井区；第二导电型态的第二井区，与第一井区相邻并与第一井区形成边界。第一导电型态与第二导电型态相反。第一井区包括朝第二井区凸起的第一部分，且第二井区包括朝第一井区凸起的第二部分。集成电路布局还包括第一鳍状物，纵向延伸于第一井区与第二井区的第二部分上；以及第二鳍状物，纵向延伸于第二井区与第一井区的第一部分上。

附图说明

图1为本发明多种实施例中，具有常规单元与上拉单元的设计方块的集成电路的简化方块图。

图2为一实施例中，具有凸起(或凸出)部分的两个井区的部分俯视图。

图3为一实施例中，图1中的方块的部分俯视图。

图4为一实施例中，图3中的方块沿着图3的切线X1-cut的部分剖视图。

图5为一实施例中，标准单元与上拉单元沿着图3的切线X1-cut的部分剖视图。