[发明专利]半导体处理方法

说明书

本公开的一些实施例提供一种半导体处理工具。半导体处理工具包括一清洁腔室。清洁腔室被配置为以无氧(或接近无氧)方式执行化学机械平坦化后清洁操作。可将惰性气体提供至清洁腔室中，以从清洁腔室中移除氧气，使得可在无氧(或接近无氧)环境中执行化学机械平坦化后清洁操作。如此一来，可在降低半导体晶圆上和/或半导体晶圆中的金属化层和/或金属化结构的氧引起的腐蚀的环境中执行化学机械平坦化后清洁操作，这可增加半导体制程良率、可降低半导体制程缺陷和/或可提高半导体制程品质等。

技术领域

本公开的一些实施例是关于半导体处理方法以及工具。

背景技术

可使用诸如为化学机械研磨/平坦化(chemical mechanical polishing/planarization，CMP)(以下简称为化学机械平坦化)的研磨技术或平坦化技术来平坦化层、基板或半导体晶圆。化学机械平坦化制程可包括将浆料(或研磨化合物)沉积到研磨垫上。可将半导体晶圆安装到载具(carrier)上，当半导体晶圆被压靠在研磨垫上时，载具可旋转半导体晶圆。浆料以及研磨垫作为研磨剂(abrasive)，其在半导体晶圆旋转时研磨或平坦化半导体晶圆的一层或多层(例如，金属化层)。研磨垫亦可被旋转以确保浆料被持续供应至研磨垫。

发明内容

本公开的一些实施例提供了一种半导体处理方法。方法包括从一清洁腔室中移除氧气。方法包括在从清洁腔室中移除氧气之后，在清洁腔室中执行一化学机械研磨后清洁操作。

本公开的一些实施例提供了一种半导体处理工具。半导体处理工具包括一化学机械平坦化清洁腔室，在清洁腔室中，在一清洁操作期间处理一半导体晶圆。半导体处理工具包括一第一喷嘴，第一喷嘴被配置以在清洁操作期间将清洁剂提供至化学机械平坦化清洁腔室中。半导体处理工具包括一个或多个第二喷嘴，第二喷嘴被配置以将一惰性气体提供至化学机械平坦化清洁腔室中，以从化学机械平坦化清洁腔室中移除氧气。

本公开的一些实施例提供了一种半导体处理方法。方法包括在一化学机械平坦化工具的一制程腔室中定位一半导体晶圆。方法包括执行一化学机械平坦化操作，以平坦化在制程腔室中的半导体晶圆的一层或多层金属化层。方法包括在执行化学机械平坦化操作之后，将半导体晶圆从制程腔室转移至化学机械平坦化工具的一清洁腔室。方法更包括执行一化学机械平坦化后清洁操作，以清洁在清洁腔室中的半导体晶圆。清洁腔室中的一氧气浓度在大约0％至大约10％的范围内。

附图说明

当与所附图式一起阅读时，从以下详细描述中可更佳地理解本公开的各方面。值得注意的是，根据本产业的标准实务，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了清楚讨论，可能任意地增加或降低各种特征的尺寸。

图1是在此描述的一示例化学机械平坦化工具的示意图。

图2是在此描述的示例实施例的示意图。

图3、图4A以及图4B是在此描述的清洁腔室的示例实施例的示意图。

图5A至图5E是在此描述的示例一实施例的示意图。

图6是图1的一个或多个装置的示例组件的示意图。

图7以及图8是与化学机械平坦化后(post-CMP)清洁有关的示例制程的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100：化学机械平坦化工具

102：制程腔室

104：转移腔室

106，106a，106b，106c：清洁腔室

108：吹扫腔室

110：传输装置

200，300，400，500：示例实施例