[发明专利]半导体存储器设备以及半导体存储器设备的操作方法

说明书

本公开的实施例涉及半导体存储器设备以及半导体存储器设备的操作方法。操作半导体存储器设备来对被选择的存储器单元进行编程以将数据位存储在被选择的存储器单元中的每个被选择的存储器单元中的方法包括模糊编程和精细编程。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2021-0120307的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

各种实施例总体上涉及电子设备，并且更具体地涉及半导体存储器设备以及半导体存储器设备的操作方法。

背景技术

半导体存储器设备可以具有其中串以水平方向布置在半导体衬底上的二维结构，或者具有其中串以竖直方向布置在半导体衬底上的三维结构。三维存储器设备被设计以克服二维存储器设备中的有限集成度，并且可以包括在半导体衬底上竖直堆叠的多个存储器单元。控制器可以控制半导体存储器设备的操作。

发明内容

根据本公开的一个实施例，操作半导体存储器设备来对被选择的存储器单元进行编程以在每个被选择的存储器单元中存储N位数据的方法可以包括：模糊编程，用于通过使用中间验证电压来将第一存储器单元的阈值电压增加到中间编程状态，第一存储器单元待被编程到第一至第(2^N-1)目标编程状态之中的第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态；以及精细编程，用于通过使用第一至第(2^N-1)验证电压来将被选择的存储器单元编程到目标编程状态，其中精细编程包括：增加待被编程到第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的第一存储器单元的阈值电压，以及增加待被编程到第一至第(2^N-1-1)目标编程状态的第二存储器单元的阈值电压(其中N是自然数)。

根据本公开的一个实施例，操作半导体存储器设备来对被选择的存储器单元进行编程以在每个被选择的存储器单元中存储N位数据的方法可以包括：模糊编程，用于通过使用中间验证电压来将第一存储器单元的阈值电压增加到中间编程状态，第一存储器单元待被编程到第一至第(2^N-1)目标编程状态之中的第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态；以及精细编程，用于通过使用第一至第(2^N-1)验证电压来将被选择的存储器单元编程到目标编程状态，其中精细编程包括：增加待被编程到第一至第(2^N-1-1)目标编程状态的第二存储器单元的阈值电压，以及增加待被编程到第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的第一存储器单元的阈值电压(其中N是自然数)。

根据本公开的一个实施例，操作半导体存储器设备来对被选择的存储器单元进行编程以在每个被选择的存储器单元中存储N位数据的方法可以包括：第一模糊编程，用于通过使用中间验证电压来将第一存储器单元的阈值电压增加到第一中间编程状态，第一存储器单元待被编程到第一至第(2^N-1)目标编程状态之中的第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态；第二模糊编程，用于通过使用大于中间验证电压的第(2^N-1)验证电压来将待被编程到第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的第一存储器单元的阈值电压从第一中间编程电压增加到第二中间编程状态；以及精细编程，用于将被选择的存储器单元编程到目标编程状态(其中N是自然数)。

附图说明

图1是图示了根据本公开的一个实施例的包括半导体存储器设备和控制器的存储器系统的框图；

图2是图示了图1所示的半导体存储器设备的框图；

图3是图示了图2所示的存储器单元阵列的实施例的示图；