[发明专利]半导体存储器设备以及半导体存储器设备的操作方法

权利要求书

1.一种操作半导体存储器设备的方法，所述方法对被选择的存储器单元进行编程，以在所述被选择的存储器单元中的每个被选择的存储器单元中存储N位数据，所述方法包括：

模糊编程，用于通过使用中间验证电压，将待被编程到第一至第(2^N-1)目标编程状态之中的第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的第一存储器单元的阈值电压增加到中间编程状态；以及

精细编程，用于通过使用第一至第(2^N-1)验证电压，将所述被选择的存储器单元编程到目标编程状态，

其中所述精细编程包括：增加待被编程到所述第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的所述第一存储器单元的阈值电压，以及增加待被编程到第一至第(2^N-1-1)目标编程状态的第二存储器单元的阈值电压，并且

其中N是大于1的自然数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述中间验证电压小于第(2^N-1)验证电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述模糊编程包括：

将编程禁止电压施加到与在所述第一存储器单元之中的、被编程到所述中间编程状态的第三存储器单元耦合的位线；

将编程允许电压施加到与在所述第一存储器单元之中的、未被完全编程到所述中间编程状态的第四存储器单元耦合的位线；

将编程电压施加到与所述被选择的存储器单元耦合的字线；以及

通过使用所述中间验证电压，对所述第四存储器单元执行验证操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述精细编程包括：

通过使用第(2^N-1)至第(2^N-1)验证电压，增加待被编程到所述第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的所述第一存储器单元的阈值电压；以及

通过使用第一至第(2^N-1-1)验证电压，增加待被编程到所述第一至第(2^N-1-1)目标编程状态的所述第二存储器单元的阈值电压。

5.根据权利要求4所述的方法，其中增加待被编程到所述第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的所述第一存储器单元的阈值电压包括：

将编程禁止电压施加到与在所述被选择的存储器单元之中的、被完全编程到对应目标编程状态的存储器单元以及与所述第一至第(2^N-1-1)目标编程状态相对应的第二存储器单元耦合的位线；

将编程允许电压施加到与在对应于所述第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的所述第一存储器单元之中的、未被完全编程的存储器单元耦合的位线；

将编程电压施加到与所述被选择的存储器单元耦合的字线；以及

通过使用所述第(2^N-1)至第(2^N-1)验证电压，对待被编程到所述第(2^N-1)至第(2^N-1)目标编程状态的所述第一存储器单元执行验证操作。