[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和隔离结构，所述隔离结构位于所述第一区域和第二区域之间；

所述隔离结构的部分表面形成第一凸起；

在所述第一区域上形成第一栅介质层，去除所述第一凸起，在所述第二区域上形成第二栅介质层；

在所述第一栅介质层形成第一栅极；在所述第二栅介质层形成第二栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

所述第一区域和第二区域表面形成第一硬掩膜层；

在所述衬底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖第一区域和部分所述隔离结构；

以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述隔离结构和第一硬掩膜层，在所述隔离结构的表面形成第一凸起；

去除所述第一掩膜层和第一硬掩膜层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一区域和第二区域表面形成第三栅介质层，所述第三栅介质层位于所述第一硬掩膜层下方。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：

以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述隔离结构、第一硬掩膜层和第三栅介质层，在所述隔离结构的表面形成第一凸起；

去除所述第一掩膜层、第一硬掩膜层和第三栅介质层。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述隔离结构的部分表面形成第一凸起之后，在所述第一区域、第一凸起和第二区域表面形成第二初始栅介质层；

在所述第二初始栅介质层上方形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第二区域和部分所述隔离结构，暴露所述第一凸起和第一区域；

以所述第二掩膜层刻蚀所述第二初始栅介质层，形成第二栅介质层，所述第二栅介质层覆盖所述第二区域表面。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第一区域的所述第二初始栅介质层和所述第一凸起，去除所述第一区域上的第二初始栅介质层和第一凸起。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：在所述第一区域上形成第一栅介质层包括，通过外延生长工艺形成所述第一栅介质层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一栅介质层采用的材料包括应变材料。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一栅极和/或所述第二栅极包括：第二硬掩模层、金属层、缓冲层、及高介电常数层。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除所述第一掩膜层采用干法刻蚀工艺。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述隔离结构采用的材料包括SiO₂和/或SiON。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二栅介质层采用的材料包括氧化物材料。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成第一栅介质层之前还包括预清洁步骤。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一栅介质层与所述第二栅介质层的高度齐平。