[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底；

至少一个电介质层，其在所述衬底上方，所述至少一个电介质层包含步阶边缘轮廓；及

电容器结构，其经放置于所述衬底上方，所述电容器结构包括：

底部电极，其覆盖所述至少一个电介质层的所述步阶边缘轮廓且具有基本上保形于所述至少一个电介质层的所述步阶边缘轮廓的第一步阶轮廓；

电容器电介质层，其覆盖所述底部电极且具有基本上保形于所述第一步阶轮廓的第二步阶轮廓；及

顶部电极，其覆盖所述电容器电介质层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述顶部电极具有基本上保形于所述第二步阶轮廓的第三步阶轮廓。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述至少一个电介质层的所述步阶边缘轮廓包括基本上沿着所述至少一个电介质层的深度方向延伸的第一边缘、连接到所述第一边缘且与所述第一边缘成角度的第一连接边缘及连接到所述第一连接边缘且基本上沿着所述深度方向延伸的第二边缘。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其进一步包括覆盖所述至少一个电介质层的所述第一边缘、所述第一连接边缘及所述第二边缘的阻障层。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其进一步包括所述至少一个电介质层上的罩盖阻障层，其中所述罩盖阻障层包括连接到所述第二边缘且与所述第二边缘成角度的第二连接边缘及连接到所述第二连接边缘且基本上沿着所述深度方向延伸的第三边缘。

6.一种半导体结构，其包括：

衬底；

至少一个电介质层，其在所述衬底上方；

双镶嵌导电结构，其在所述衬底上方的所述至少一个电介质层中；及

电容器结构，其在所述衬底上方的所述至少一个电介质层中，其中所述双镶嵌导电结构的边缘轮廓及所述电容器结构的边缘轮廓包含基本上相同形状。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述双镶嵌导电结构包含导电通路及放置于所述导电通路上的导电构件，所述导电通路及所述导电构件共同包含步阶边缘轮廓，且所述电容器结构包含具有相同于所述双镶嵌导电结构的所述步阶边缘轮廓的形状的步阶边缘轮廓。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其进一步包括：

第一阻障层，其经放置于所述至少一个电介质层与所述双镶嵌导电结构之间；及

第二阻障层，其经放置于所述至少一个电介质层与所述电容器结构之间，其中所述第一阻障层及所述第二阻障层包含相同形状。

9.一种制造半导体结构的方法，其包括：

在衬底上方形成至少一个电介质层；

图案化所述至少一个电介质层以形成第一孔及第二孔，所述第一孔及所述第二孔中的每一者包含通路部分及在所述通路部分上且宽于所述通路部分的沟槽部分；

在所述第一孔及所述第二孔中形成多个双镶嵌导电结构；

移除所述第二孔中的所述双镶嵌导电结构；及

在所述第二孔中形成电容器结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

在所述至少一电介质层上及在所述第一孔及所述第二孔中形成阻障层；

在所述阻障层上形成导电层；及

移除所述第一孔及所述第二孔外部的所述导电层及所述阻障层以形成所述双镶嵌导电结构，其中所述阻障层保留在所述第一孔及所述第二孔中。