[发明专利]半导体装置、电力变换装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

绝缘树脂；

金属图案，其设置于所述绝缘树脂之上；

半导体芯片，其与所述金属图案接合；

壳体，其以将所述半导体芯片包围的方式粘接于所述绝缘树脂；

封装材料，其在所述壳体的内部对所述半导体芯片进行封装；以及

盖，其设置于所述壳体的上部，将所述半导体芯片及所述封装材料覆盖，

在所述盖设置有V字型的槽。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述封装材料具有热固化树脂，

在所述盖的下表面设置凸起，

所述凸起的顶端部被所述封装材料封装。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述顶端部设置有贯穿孔。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，

所述盖和所述凸起为分体部件。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

在所述盖设置具有埋头孔的开口，

所述凸起具有凸起主体及宽幅部，该宽幅部设置于所述凸起主体的上部且宽度比所述凸起主体宽，

所述凸起主体插入至所述开口，从所述盖的下表面凸出，

所述宽幅部与所述埋头孔嵌合。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述埋头孔和所述宽幅部的形状为彼此对应的锥状。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸起具有凸起主体及宽幅部，该宽幅部设置于所述凸起主体的上部且宽度比所述凸起主体宽，

在所述盖的下表面设置有对所述宽幅部进行保持的保持部。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸起具有长度或宽度不同的多个凸起。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。

10.一种电力变换装置，其特征在于，具有：

主变换电路，其具有权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，该主变换电路将输入进来的电力变换而输出；以及

控制电路，其将对所述主变换电路进行控制的控制信号输出至所述主变换电路。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

将半导体芯片接合于绝缘树脂的金属图案；

以将所述半导体芯片包围的方式将壳体粘接于所述绝缘树脂；

将封装材料注入至所述壳体的内部而对所述半导体芯片进行封装；

将设置有V字型的槽的盖以与所述壳体的大小相匹配的方式沿所述槽进行分割；以及

将分割后的所述盖覆盖于所述壳体的上部而将所述半导体芯片及所述封装材料覆盖。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述封装材料具有热固化树脂，

在所述盖的下表面设置凸起，

将所述凸起的顶端部插入至固化前的所述封装材料，通过加热使所述封装材料固化而固定所述盖。