[发明专利]一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT在审
| 申请号： | 202210156677.9 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN114530489A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张新峰;黄宏嘉;帝玛;陈善亮;杨祚宝;王霖;弓小武;袁嵩;龙安泽;曹金星;应艳阳;杜陈;张函 | 申请（专利权）人： | 江苏卓远半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 孙腾 |
| 地址： | 226500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 硅异质结低 功耗 igbt | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；其特征在于，所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方的表面结构；
所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成；
所述表面结构包括若干P型基区，所有P型基区均内嵌设置在N漂移区顶部，相邻P型基区之间形成一个JFET区，每个P型基区上均设置有两个N+发射极区、一个P+发射极区，其中，N+发射极区靠近P型基区边缘，P+发射极区2位于两个N+发射极区之间，每个JFET区上方设置有栅极；所述表面结构还包括设置在JFET区、栅极、N+发射极区、P+发射极区上方的顶部发射极。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其特征在于，所述P+发射极区为深扩散，其深度小于P型基区。
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