[发明专利]半导体元件及其制造方法

说明书

一种半导体元件及其制造方法。在一个实施例中，第一次图案化第一界面层，第一界面层位于介电层上方的第一硬遮罩层上方，第一次图案化第一界面层形成第一开口，其被利用第一介电材料填充。在填充第一开口后第二次图案化第一界面层，第二次图案化第一界面层在第一界面层中形成第二开口，第二开口的至少一者暴露第一介电材料。移除第一介电材料，并且在移除第一介电材料后，利用第一界面层作为遮罩图案化介电层使介电层被第二次图案化，图案化介电层延伸第二开口。

技术领域

本揭露是有关于一种半导体元件及其制造方法。

背景技术

半导体元件被使用于多种电子装置应用装置，诸如，举例来说，个人计算机、手机、数字相机以及其他电子设备。半导体元件通常通过依序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体材料层在半导体基材上方被制造，并且利用光微影图案化多个材料层以形成电路元件以及元素在其上方。

半导体工业不断提高多种电子元件的集成密度(例如，晶体管、二极管、电阻、电容等)并且通过不断缩小最小特征尺寸来实现导电布线，以允许更多元件集成在给定区域中。

发明内容

一种制造半导体元件的方法，方法包含：第一次图案化第一层，第一层位于介电层上方的第一硬遮罩层上方，第一次图案化第一层形成第一开口；利用第一介电层填充第一开口；在填充第一开口后第二次图案化第一层，第二次图案化第一层在第一层中形成第二开口，第二开口的至少一者暴露第一介电层；移除第一介电层；以及在移除第一介电层后利用第一层作为遮罩图案化介电层，图案化介电层延伸第二开口。

一种制造半导体元件的方法，方法包含：沉积第一层在第一介电层上方的硬遮罩层上方；嵌入第一介电层进入第一层；沉积光阻材料在第一层上方；图案化光阻材料以形成第一线开口以及第二线开口，第一线开口至少部分位于第一介电层；通过第一线开口以及第二线开口图案化硬遮罩层并保留第一介电层，第一介电层保护硬遮罩层的第一部位；利用硬遮罩层作为遮罩图案化第一介电层，硬遮罩层的第一部位保护第一介电层的第二部位，图案化第一介电层在第一介电层的第二部位的第一侧形成第一开口并且在第一介电层的第二部位的第二侧形成第二开口，第一开口不大于第二开口12纳米；以及利用导电材料填充第一开口以及第二开口。

一种半导体元件，包含：半导体基材以及金属化层。金属化层上覆半导体基材。金属化层包含：第一介电层、第一导电线以及第二导电线。第一导电线嵌入第一介电层。第二导电线嵌入第一介电层。在俯视视角中第一介电层连续地围绕第一导电线以及第二导电线。第二导电线与第一导电线隔开不超过15纳米。

附图说明

当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭露的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A至图1B为根据本揭露其中一实施例中图案化光阻的示意图；

图2A至图2B为根据本揭露其中一实施例中沉积第一介电材料的示意图；

图3A至图3B为根据本揭露其中一实施例中平坦化第一介电材料的示意图；

图4A至图4B为根据本揭露其中一实施例中图案第二光阻的示意图；

图5A至图5B为根据本揭露其中一实施例中图案化第一界面层的示意图；

图6A至图6B为根据本揭露其中一实施例中图案化硬遮罩层的示意图；

图7为根据本揭露其中一实施例中沉积导电材料的示意图；

图8A至图8B为根据本揭露其中一实施例中平坦化导电材料的示意图；

图9A至图9B为根据本揭露其中一实施例中双镶嵌制程的示意图；

图10为根据本揭露其中一实施例中形成多个金属化层的示意图。