[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210127484.0 | 申请日： | 2022-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN115036264A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 黄冠维;陈育裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，该方法包含：
第一次图案化一第一层，该第一层位于一介电层上方的一第一硬遮罩层上方，该第一次图案化该第一层形成一第一开口；
利用一第一介电层填充该第一开口；
在填充该第一开口后第二次图案化该第一层，该第二次图案化该第一层在该第一层中形成多个第二开口，所述多个第二开口的至少一者暴露该第一介电层；
移除该第一介电层；以及
在移除该第一介电层后利用该第一层作为一遮罩图案化该介电层，该图案化该介电层延伸所述多个第二开口。
2.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，进一步包含利用一导电材料填充所述多个第二开口以形成一第一导电线以及一第二导电线。
3.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，进一步包含通过该第一层平坦化该第一介电层。
4.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，该方法包含：
沉积一第一层在一第一介电层上方的一硬遮罩层上方；
嵌入一第一介电层进入该第一层；
沉积一光阻材料在该第一层上方；
图案化该光阻材料以形成一第一线开口以及一第二线开口，该第一线开口至少部分位于该第一介电层；
通过该第一线开口以及该第二线开口图案化该硬遮罩层并保留该第一介电层，该第一介电层保护该硬遮罩层的一第一部位；
利用该硬遮罩层作为一遮罩图案化该第一介电层，该硬遮罩层的该第一部位保护该第一介电层的一第二部位，该图案化该第一介电层在该第一介电层的该第二部位的一第一侧形成一第一开口并且在该第一介电层的该第二部位的一第二侧形成一第二开口，该第一开口不大于该第二开口12纳米；以及
利用一导电材料填充该第一开口以及该第二开口。
5.根据权利要求4所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该图案化该第一介电层为一单镶嵌制程的一部分。
6.根据权利要求4所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该图案化该第一介电层为一双镶嵌制程的一部分。
7.根据权利要求4所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该图案化该光阻材料至少部分地通过一极紫外光成像制程执行。
8.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一半导体基材；以及
一金属化层，上覆该半导体基材，该金属化层包含：
一第一介电层；
一第一导电线，嵌入该第一介电层；以及
一第二导电线，嵌入该第一介电层，在一俯视视角中该第一介电层连续地围绕该第一导电线以及该第二导电线，该第二导电线与该第一导电线隔开不超过15纳米。
9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，该第一导电线延伸穿过该第一介电层。
10.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，该第一导电线部分地延伸穿过该第一介电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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